InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 （内置TEC制冷型）

InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 （内置TEC制冷型）

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品牌： LIGHTSMYTH
货号：
筱晓（上海）光子技术有限公司
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产品详情

InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。


光谱响应
900-1700nm
响应度
@1550nm 0.85 A/W
技术参数

线性模式参数

产品型号

IGA-APD-GM104-TEC

参数

符号

单位

测试条件

最小

典型

最大

反向击穿电压

VBR

V

22℃±3℃ ，ID =10μA

60

80

90

响应度

Re

A/W

22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1

0.8

0.85


暗电流

ID

nA

22℃±3℃，M =10


0.1

0.3

电容

C

pF

22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz



0.25

击穿电压温度系数

η

V/K

-40℃ ~80℃，ID =10μA



0.15


盖革模式参数

参数

单位

测试条件

最小

典型

最大

单光子探测效率 PDE

%

-45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布单光子源

20



暗计数率 DCR

 

kHz

-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%



 

20*

后脉冲概率 APP


-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%



1× 10-3

时间抖动Tj

ps

-45℃，1ns 门宽，2MHz门控重频，PDE=20%



100

* 可提供不同等级规格产品


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