GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体_价格-筱晓（上海）光子技术有限公司

产品详情

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。

技术参数

主要特性

复合物		GaSe
透光率, μm		0.62 – 20
非线性系数, pm/V	d22 = 54 @10.6 μm
对称度	六方晶系, 6m2 point group
晶胞参数, ?	a=3.74, c=15.89
典型反射系数	10.6 μm 5.3 μm	no=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966
光学损伤阈值, MW/cm2	1064 nm (t=10 ns)	30
离散角, °	5.3 μm	4.1

应用

10.6 μm激光辐射二次谐波的产生
中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等

对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

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供货周期：	现货
品牌：	LIGHTSMYTH
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