硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm光敏面直径0.5mm LCC3)

硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm光敏面直径0.5mm LCC3)

参考价：¥1
供货周期： 现货
品牌： LIGHTSMYTH
货号： 见下表
核心参数
筱晓（上海）光子技术有限公司
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产品详情

总览

Si 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。

通用参数

产品特点：

正照平面型芯片结构

高速响应

高增益

低结电容

低噪声


产品应用：

激光测距

激光雷达

激光警告

技术参数：

光电性能（@Ta=22±3℃）


 

器件型号

光谱响应范

围

(nm)

峰值响

应波长

(nm)

响应度

λ =905nm

φ e =1μW

M=100

(A/W)

暗电流

M=100

(nA)

响应时间

λ =905nm

R L =50Ω

（ns）

工作电压

温度系数

T a =-40℃

～85℃

（V/℃）

总电容

M=100

f=1MHz

（pF）

击穿电压

I R =10μA

（V）

典型

最大

最小

最大

APD-SI-905-2-TO46

400～1100

905

55

0.2

1

0.6

0.9

1.0

130

220

APD-SI-905-5-TO46

0.4

1

1.2

APD-SI-905-8-TO46

0.8

2

2.0

APD-SI-905-2-LCC3

0.2

1

1.0

APD-SI-905-5-LCC3

0.4

1

1.2

 

 

结构/最大绝对额定值

器件型号

封装形式

光敏面直径

(mm)

工作电压

(V)

工作温度

(℃)

储存温度

(℃)

焊接温度

(℃)

正向电流

(mA)

耗散功率

(mW)

APD-SI-905-2-TO46

TO-46

0.23

0.9×V BR

-40～85

-45～100

260

0.25

100

APD-SI-905-5-TO46

TO-46

0.50

APD-SI-905-8-TO46

TO-46

0.80

APD-SI-905-2-LCC3

LCC3

0.23

APD-SI-905-5-LCC3

LCC3

0.50

 

 

产品型号

 

名称

型号

描述

价格

货期

硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-2-TO46

光谱响应范围：400-1100nm

峰值响应波长：905nm

光敏面直径：0.23mm

封装：TO46



硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-5-TO46

光谱响应范围：400-1100nm

峰值响应波长：905nm

光敏面直径：0.50mm

封装：TO46



硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-8-TO46

光谱响应范围：400-1100nm

峰值响应波长：905nm

光敏面直径：0.80mm

封装：TO46



硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-2-LCC3

光谱响应范围：400-1100nm

峰值响应波长：905nm

光敏面直径：0.23mm

封装：LCC3



硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-5-LCC3

光谱响应范围：400-1100nm

峰值响应波长：905nm

光敏面直径：0.50mm

封装：LCC3



 

 

典型特性曲线


302.png


303.png



304.png


305.png


封装外形、尺寸及引脚定义

APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）


306.png


APD-SI-2-2/5-LCC3


307.png


308.png


等效电路及应用电路



309.png






310.png






注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。

C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。

R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。

R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。

定购信息：


型号规则


【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】



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