那诺-马斯特NIE-4000 (M) IBE离子束刻蚀_价格-那诺-马斯特中国有限公司

NIE-4000 (M) IBE离子束刻蚀

参考价：面议

型号：

NIE-4000 (M)

产地：

美国

品牌：

那诺-马斯特

评分：

产品详情

IBE离子束刻蚀系统

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述：

  NANO-MASTER的离子束刻蚀系统具有很强的适应性，可根据不同的应用而按不同的配置进行建构。多样的样片夹具和离子源配置可支持用户不同的应用。用于离子束系统（或称离子铣系统）的样片夹具可以支持±90°倾斜、旋转、水冷和背氦冷却。
  NANO-MASTER技术已经展示了可以把基片文库保持在50°C以内的能力。通过倾斜和旋转，可以刻蚀出带斜坡的槽，并且改善了对侧壁轮廓和径向均匀度的控制。
  不同的选配项可以用于不同的网格配置以及中和器。溅射选配项可以支持对新刻蚀金属表面的涂覆，以防氧化。此外，还可以选配单晶圆自动上下片功能。

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：

优化的14”立方的电抛光不锈钢腔体
水冷±90°自动倾斜旋转基片夹具
带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC
直流离子源1cm-16cm
6”基片的刻蚀均匀度±1.2%
能够控制基片温度在50°C以内
26”x44”占地面积的不锈钢柜体，非常适用于百级超净间
基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动
LabVIEW友好用户界面
EMO和安全互锁

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品选配：

光谱终点监测系统
背氦冷却
21”立方的电抛光不锈钢腔体
自动上下片
1200L/Sec涡轮分子泵
冷泵配置
增加MFC用于反应气体实现RIBE
栅格式RFICP离子源
中空阴极或灯丝中和器
溅射源用于钝化层沉积

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品应用：

III-V族光学元件
激光光栅
高深宽比的光子晶体刻蚀
SiO2，Si和金属的深槽刻蚀

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典型用户

用户单位	采购时间
西安光机所	2012/09/01