经过一系列的工艺开发、设备开发,以及客户实际使用的探索,NANO-MASTER宣告已经实现了不使用NH3气体来生长氮化物薄膜的PEALD技术和设备。
该技术建基于高密度ICP离子源以及高真空环境,我们可以获得光学薄膜品质的GaN等氮化物薄膜,使用N2替代NH3的最新工艺技术,一方面大大节省了后期尾气处理的巨大成本,另一方面是的H元素的掺杂得到最佳的控制,可以获得超高品质的GaN等氮化物薄膜。基于在该领域的杰出贡献,2016年11月份美国CS(复合半导体)杂志专访了NANO-MASTER的CEO Birol Kuyel博士。到目前为止,该专利工艺技术同时应用于NANO-MASTER的全球首台的PA-MOCVD系统当中,并成功通过该工艺技术的应用,获得出色的半导体薄膜。
带你一文领略磁控溅射
淋浴头气流的平面ICP离子源应用于ALD系统
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