型号: | B-M-1030 |
产地: | 德国 |
品牌: | Batop |
评分: |
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砷化铝/砷化镓布拉格反射镜AlAs/GaAs Bragg mirrors
如果需要尺寸仅为几毫米的较小的高反射镜,选用在GaAs芯片上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜是比较合适的。
作为衬底的单晶GaAs砷化镓晶片具有光滑的表面和55W /(m * K)的良好导热率。它可以被切成小的方块或矩形芯片。
我们提供未安装的布拉格反射镜,标准基板厚度为450um。
可用芯片尺寸:
? 4.0mmx 4.0mm
? 2.0mm×2.0mm
?1.3mm×1.3mm
可根据要求定制尺寸
1030nm 砷化铝/砷化镓布拉格反射镜AlAs/GAAs Bragg mirrors
BM-1030nm-4x4 | BM-1030nm-2x2 | BM-1030nm-1.3x1.3 |
?GaAs上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜 ?中心波长λ= 1030 nm ?芯片面积:4 mm x 4 mm ?芯片厚度:450μm | ?GaAs上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜 ?中心波长λ= 1030 nm ?芯片面积:2 mm x 2 mm ?芯片厚度:450μm | ?GaAs上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜 ?中心波长λ= 1030 nm ?芯片面积:1.3 mm x 1.3 mm ?芯片厚度:450μm |
砷化铝/砷化镓布拉格反射镜AlAs/GaAs Bragg mirrors
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