LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

参考价：面议
型号： LT-GaAs
产地： 上海
品牌： Eachwave
评分：
上海屹持光电技术有限公司
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LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

1、半导体光电子器件结构生长

    我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层，适用于不同应用。

2、低温砷化镓

    对于某些应用需要快速响应装置，例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件，响应时间短至1 ps。

    我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓：

参数：

  • 砷化镓晶片直径：2“或4”

  • 最大薄膜叠层厚度：5μm

规格：

  • LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片

  • LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片

  • LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圆

  • LT-GaA-100-C：具有定制金属结构的4“（100 mm）LT-GaAs晶圆

具体规格可进一步咨询。




上海屹持光电技术有限公司为您提供EachwaveLT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制，EachwaveLT-GaAs产地为上海，属于其它常用设备，除了LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供SESAM-1040半导体可饱和吸收镜德国BATOP、SESAM-1550半导体可饱和吸收镜BATOP、SESAM半导体可饱和吸收镜Batop,屹持光电客服电话，售前、售后均可联系。

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