供货周期: | 一周 |
品牌: | Futurrex |
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Futurrex 成立于1985年,是美国高端光刻胶及辅助化学品制造商。产品以技术著称,从2000年至今年均增长率为33%。主要客户有:Ti、半导体、HP、SHARP、3M、Universal Display、ETC、LG、Qualcomm (高通)等。Futurrex长期与Intel实验室合作,产品被广泛收录进美国各大学半导体教程,是各大研究机构产品。
Futurrex产品优势:
1、Futurrex光刻胶黏附性好,无需使用增粘剂(HMDS)
2、负性光刻胶常温下可保存3年
3、150度烘烤,缩短了烘烤时间
4、单次旋涂能够达到100um膜厚
5、显影速率快,100微米的膜厚,仅需6~8分钟
负性光刻胶
A、 粘性增强负胶(NR9-P、NR9G-P、NR5系列)
特性
在蚀刻和电镀应用时具有超强的粘附力,且很容易去除
厚度范围:<0.1-120μm
i、g以及h线曝光
优势:
具有一次旋涂即可获得100μm以上优越的分辨率的甩胶厚度
150℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间
更快的显影,100μm的光刻胶显影仅需6-8分钟
不必使用增粘剂如HMDS
B、 高级加工负胶(NR71-P、NR71G-P系列)
特性:
在RIE处理是优异的选择性以及在离子注入时优异的耐高温性能
厚度范围:<0.1-120μm
i、g以及h线曝光
优势:
具有一次旋涂即可获得100μm以上优越的分辨率的甩胶厚度
150℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间
更快的显影,100μm的光刻胶显影仅需6-8分钟
可耐受180℃的高温
不必使用增粘剂如HMDS
应用展示:
用NR5-800制作结构的案例
MEMS设计中25μm厚NR5-8000光刻胶图案及其下方硅片20μm高刻蚀结构线宽控制展示:NR5-8000的图案不存在大体积影响
MEMS设计中25μm厚NR5-8000光刻胶图案及其下方硅片20μm高刻蚀结构显影能力展示:
Futurrex紫外负性光刻胶-湿法工艺
Futurrex紫外负性光刻胶-干法工艺
Futurrex紫外负性光刻胶-lift-off工艺
Futurrex紫外正性光刻胶
NP9/NR71/NR9
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