拉曼光谱测定半导体晶向

2019-03-13 10:28  下载量:40

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晶向是影响半导体工艺和器件性能的一项参数。随着半导体薄层材料制备技术和应用的发展,薄层晶向的测定日益显得重要。然而,对于厚度仅为微米量级的薄层,常规的晶体定向方法或由于腐蚀破坏作用(光散射法),或由于穿透深度过大(X射线術射法),或由于信息图案过于复杂(电子衍射法)都极难测定其晶向。拉曼光谱,由于其反映晶格对称性和穿透深度小的特点,曾作为薄层晶体的定向工具。鉴别了特殊晶向,利用拉曼散射光极值法则能测定任意取向的金刚石结构薄层晶向。

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