拉曼光谱研究半导体热退火行为

2019-03-27 11:06  下载量:2

资料摘要

资料下载

用离子注入法向硅单晶材料掺杂时,由于注入离子与硅原子的相互作用,会引入各种类型的损伤,从而改变了硅材料的电学和光学性质。在离子注入层中制作器件之前,通常采用热退火的方法,消除注入损伤,恢复状态。

资料下载

文献贡献者

相关资料 更多

相关产品

当前位置: CSEPAT 资料 拉曼光谱研究半导体热退火行为

关注

拨打电话

留言咨询