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新型混合像素电子探测器

参考价：面议

型号：	DECTRIS ELA
产地：	德国
品牌：	德科特思 DECTRIS
评分：

核心参数

产地类别：进口

创新点

采用DECTRIS混合像素技术的ELA®探测器为电子能量损失谱（EELS）提供了前所未有的速度，灵敏度和动态范围，是用于EELS的理想电子计数探测器。它可以处理远远超过100pA的探针电流，同时记录高强度的零损峰和高损峰，并在全能量谱范围内进行单电子计数。其高帧频速率允许一次性快速获取元素面分布结果，特别适合电子束敏感材料的分析。得益于其无死区读出能力，您不仅不会在两帧图像之间丢失电子，确保能够收集样品所能提供的所有信息。与高分辨率光谱仪相结合，DECTRIS ELA 探测器将显著改进 EELS和4D-STEM 等应用发展，使您的实验在几分钟内完成，同时提高仪器的利用率，并大大减少操作时间。

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产品详情

采用DECTRIS混合像素技术的ELA®探测器为电子能量损失谱（EELS）提供了前所未有的速度，灵敏度和动态范围，是用于EELS的理想电子计数探测器。它可以处理远远超过100pA的探针电流，同时记录高强度的零损峰和高损峰，并在全能量谱范围内进行单电子计数。其高帧频速率允许一次性快速获取元素面分布结果，特别适合电子束敏感材料的分析。得益于其无死区读出能力，您不仅不会在两帧图像之间丢失电子，确保能够收集样品所能提供的所有信息。与高分辨率光谱仪相结合，DECTRIS ELA 探测器将显著改进 EELS和4D-STEM 等应用发展，使您的实验在几分钟内完成，同时提高仪器的利用率，并大大减少操作时间。

技术规格

帧速率	2,250 Hz at 16 bits 4,500 Hz at 8 bits 18,000 Hz with ROI mode
计数能力	> 1 pA/pixel
像素数	1,024 x 512
传感材料	硅(Si)
图像深度	32 bits
能量范围	30-200 keV
点扩散函数	< 1.3 pixel at 200 keV

产品应用

STO/BTO/LMSO多层膜的快速元素映射图像，采用零损失峰（ZLP），获取为32张单独的128 像素× 128像素图像，每张采集时间为8秒，对齐和求和(共4.3分钟)。从左到右:分为别Ti L2,3 edge，Ba M4,5 edge和La M4,5 edge的ZLP强度图像，类似于明场像，最后获得复合图像。(图片来源:NION Ltd.)

六方氮化硼的EELS电子能量损失谱, E0 = 60 keV，电子束电流为105 pA，曝光时间100 s，能量色散设置为0.5 eV/channel，使用Nion UltraSTEM 200MC单球差扫描透射电子显微镜的Nion Iris EELS探测器获得。(图片来源:NION Ltd.)

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