型号: | DC-HTGB |
产地: | 德国 |
品牌: | |
评分: |
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HTGB高温栅偏测试系统是一款动态HTGB测试系统。其优点是软件控制的测试过程、大量的测试设备和调整试验参数的灵活性。该系统用高压变化来刺激被测器件的栅极在许多应用中,特别是在新技术方面。用高压变化对器件参数的影响在静态HTGB测试中是看不到的。对于像碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这样的新型宽禁带器件来说,这种动态HTGB技术尤其重要。
这套测试系统提供了栅阈值电压的现场(就地)测量。通过中断刺激,切换到测量电路,然后继续刺激全自动。每个DUT停止刺激和测量之间的时间是恒定的,以避免不同结果的影响。没有这些预防措施,可重复性和可比性设备会有限制。
全自动测量取代了通常需要的手动测量读数节省时间和成本,同时提高观察视野。测量的阈值电压分为Vth(向上)和Vth(向下),每一个都有一个可配置预处理阶段。
测试通道:
工作台:10,20,40个
机架(42 U): 40、80、120、160、200、240 DUT:
全自动原位Vth测量:
测量时间间隔
可定制的门刺激曲线(预处理)
将测量数据记录到TDMS文件中
测试参数:
总测试时间(0-1500h)
外加漏极电压(0V-2000V)
冷热板温度:20℃-200℃
门刺激V+ (0V-30V)、V- (-15V-0V)
门频率(100Hz - 200kHz)
Vth测量间隔(10秒)
V测量电压曲线
工作原理:
所设置的测试系统对高du/dt的栅极进行刺激,以测试这些效应的影响。
频率比应用中更快,以加速测试。
采用多次原位测量,显示了趋势和漂移。
应用背景
•宽频带器件(SiC/GaN)在暴露于高du/dt时显示出新的效果。
•这些效果会影响DUT的关键特性,从而影响应用
•常规测试(H(3)TRB/HTGB)不存在这些影响
•全球标准化组织都在致力于发布动态测试标准
•作为德国汽车半导体工作组(ECPE AQG 324)的一部分参与该过程。
动态高温栅偏置功率半导体可靠性测试系统采用模块化设计,使其可扩展性从 40 个DUT到240个DUT的单个机架。这样就可以在较小的占用空间上进行有效的测试。
DUT被安排在抽屉里每 40 个DUT,在应用或工程环境中使用时,可根据要求提供桌面变体。 这个桌面是一种适合工程实验室使用的小架子。它包含一个抽屉和额外的改变,允许更多的仪器或刺激来获得更多的观察视野,非常适合SiC功率器件可靠性测试。
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