方案摘要
方案下载应用领域 | 材料 |
检测样本 | 其它 |
检测项目 | |
参考标准 | / |
SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料,在热、化学、机械方面都非常稳定。C原子和Si原子不同的结合方式使SiC拥有多种晶格结构,如4H、6H、3C等等。4H-SiC因为其较高的载流子迁移率,能够提供较高的电流密度,常被用来做功率器件。
SiC从上个世纪70年代开始研发,2001年SiCSBD商用,2010年SiCMOSFET商用,SiCIGBT还在研发当中。随着6英寸SiC单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高,使得SiC器件制备能够在目前现有6英寸Si基功率器件生长线上进行,这将进一步降低SiC材料和器件成本,推进SiC器件和模块的普及。
红外光谱分析技术在涂料检测中的应用
近红外光谱仪在表面活性剂中的应用
在选择顶置搅拌器时,不同的电机有什么区别?
相关产品
关注
拨打电话
留言咨询