| 型号： | 0 |
| 产地： | 其他 |
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设备概述
1、适用：大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备。
2、产品特点/用途：
? 设备可溅射/蒸发两用；占地面积小，价格便宜，性能稳定，使用维护成本低；
? 可用于制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、磁性膜、传感器膜及耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀膜等；
? 镀膜示例：银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、ITO、二氧化硅等；
? 单靶溅射、多靶依次溅射、共同溅射等功能。
系统组成:
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、膜厚测试系统、上盖升降机构、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标：
极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S；
恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气）
真空室：圆形真空室，尺寸630× 350mm
样品台：尺寸为4英寸，厚度1mm的平面样品，一次装填8片；
磁控靶：有效溅射区为4英寸×3英寸，数量：3支，标准型永磁靶，3支，标准型强磁靶，钎焊间接水冷结构；靶直径Φ100㎜，靶内水冷。靶基距为50～90mm连续可调（手动），并有调位距离指示
镀膜方式：磁控靶为直靶，向下溅射成膜；
样品基片：负偏压 -200V
样品转盘：样品公自转，基片的温度从室温至300℃（样品上表面的温度，只需标定一次即可）连续可调可控，但3个加热器不同时工作，每次只有一个工作（一台加热控温电源），在真空下可轮流互换工作。样品转盘由步进电机驱动，计算机控制其公转到位及样品自转；
气路系统:质量流量控制器2路
石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999?
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统
计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位定点镀膜。
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