多功能磁增强反应离子刻蚀机

多功能磁增强反应离子刻蚀机

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多功能磁增强反应离子刻蚀机
设备参数:

    刻蚀材料:氧化硅、氮化硅及光刻胶灰化
    光刻胶做掩模刻蚀选择比:3:1
    不均匀性:<±5%(4英寸)
    RF功率:150 W  
    射频源:13.56 MHz
    真空度:10-2Pa
    晶片尺寸:*大6 英寸
    反应气体: O2、Ar、CHF3、SF6


主要用途:

    利用能与被刻蚀材料起化学反应的气体,通过辉光放电使之形成等离子体,对基底表面未被掩蔽部分进行刻蚀。主要用于刻蚀氧化硅、氮化硅材料等,形成微纳米结构。


武汉赛斯特精密仪器有限公司为您提供多功能磁增强反应离子刻蚀机0,null0产地为其他,属于其它常用设备,除了多功能磁增强反应离子刻蚀机的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多其它常用设备,武汉赛斯特客服电话,售前、售后均可联系。

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