超高真空CVD0_价格-武汉赛斯特精密仪器有限公司

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低温淀积可以将晶格的损伤降至*小，并且降低的热预算反过来又将掺杂区域的横向扩散降至*小方法之一就是在极低的真率条件F，进行硅和硅锗（SiGe）的化学气相淀积。降低压力能够允许保持淀积温度处于低水平。超高真空CVD( UHV-CVD)反应在反应炉内发生，起始时，其内部压力可降至1～5 x10'9毫巴(mbar)，淀积压力在10一毫巴的数量级7．

增强型等离子体CVD

氮化硅取代氧化硅作为钝化层，促进了增强型等离子体( PECVD)技术的发展。二氧化硅的淀积温度接近于660C。这样的温度可能会导致铝合金与硅表面的相互连接。这是人们所不能接受的。解决该问题的方法之一就是采用增强的等离子体，增加淀积能量。增强的能量允许在*高450℃的条件下，在铝层七进行淀积。从物理上讲，增强的等离子系统类似于等离子体刻蚀。它们都具有在低压下作的平行板反应室，由射频引入的辉光放电，或其他等离子体源，用于在淀积气体内产生等离子体。低压与低温的结合提供了良好的薄膜均匀性和生产能力。

PECVD反应室还具有在淀积前利用等离子体对晶圆进行刻蚀和清洗的功能。该过程与干法刻蚀相类似。这种原位置处的清洗预备出淀积前的晶圆表面，清除r在装载过程中产生的污染。

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企业名称: 武汉赛斯特精密仪器有限公司
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信用代码: 420102000505809
成立日期: 2016年06月17日
注册资本: 1000
经营范围: 仪器仪表及设备、检测仪器、分析仪器、电子工业专用设备、第一类、第二类医疗器械、电力设备、电气设备、实验设备及耗材、新能源电池检测仪器及设备、机电设备、机械设备、办公自动化设备、新能源设备、电脑设备及耗材、办公设备、监控设备、数码产品、电子产品的研发、销售、技术咨询、技术服务及售后服务；建筑材料、五金交电、化工产品（不含化学危险品）的销售；环境工程设计、施工；计算机软硬件系统设计及技术服务；货物或技术进出口（国家禁止或涉及行政审批的货物和技术进出口除外）。（依法须经审批的项目，经相关部门审批后方可开展经营活动）

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