MBE分子束外延系统 1.蒸镀源Cell&电源: 金属沉积蒸镀Cell --zui大温度: < 1800℃ --坩埚容量和材料: up to 200 ccAl2O3, BN, PBN, etc --包括超高真空shutterCooling shroud 电源: --直流电源:20A, 100V --温度控制:PID control 2.等离子体Cell&电源: 射频等离子体Cell •坩埚材料:Alumina(Al2O3) 电源:300W射频发生器with matching box 质量流量控制器:N2 or O2 3.薄膜沉积控制: •膜厚测量:石英晶体振荡器 •束流量:微离子规 4.RHHED枪&电源: •配电功率: max. 30 kV at 1mA •灯丝功率:max. 3A 5.真空室: •圆柱形腔体 •直径: OD 355 ~1,000 mm (Substrate : up to OD600mm) •高度: 700 ~1,000 mm 真空泵系统及测量 •低真空:干泵和Convectron真空规 •超高真空:两级涡轮分子泵,低温泵和离子规 6.系统控制:PLC, 触摸屏计算机控制 |
|
主要特点
扩展功能: •温度控制器:基底加热 •LN2 or CW 冷却系统 •超高真空离子泵 •反射计:原位光学厚度测控 •带自动样品递送装置的Loadlock样品加载系统 |
|
武汉赛斯特精密仪器有限公司为您提供MBE分子束外延系统0,null0产地为其他,属于其它行业专用,除了MBE分子束外延系统的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多其它行业专用,武汉赛斯特客服电话,售前、售后均可联系。