MBE分子束外延系统

MBE分子束外延系统

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MBE分子束外延系统
1.蒸镀源Cell&电源:

金属沉积蒸镀Cell 
    --zui大温度: < 1800℃ 
    --坩埚容量和材料: up to 200 ccAl2O3, BN, PBN, etc 
    --包括超高真空shutterCooling shroud
电源: 
    --直流电源:20A, 100V 
    --温度控制:PID control

2.等离子体Cell&电源:
射频等离子体Cell
    •坩埚材料:Alumina(Al2O3)
电源:300W射频发生器with matching box
质量流量控制器:N2 or O2

3.薄膜沉积控制:
•膜厚测量:石英晶体振荡器
•束流量:微离子规

4.RHHED枪&电源:
•配电功率: max. 30 kV at 1mA
•灯丝功率:max. 3A

5.真空室:
•圆柱形腔体
    •直径: OD 355 ~1,000 mm (Substrate : up to OD600mm)
    •高度: 700 ~1,000 mm 
真空泵系统及测量
    •低真空:干泵和Convectron真空规 
    •超高真空:两级涡轮分子泵,低温泵和离子规

6.系统控制:PLC, 触摸屏计算机控制


主要特点


扩展功能:
•温度控制器:基底加热
•LN2 or CW 冷却系统
•超高真空离子泵
•反射计:原位光学厚度测控
•带自动样品递送装置的Loadlock样品加载系统



武汉赛斯特精密仪器有限公司为您提供MBE分子束外延系统0,null0产地为其他,属于其它行业专用,除了MBE分子束外延系统的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多其它行业专用,武汉赛斯特客服电话,售前、售后均可联系。

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