| 型号： | 0 |
| 产地： | 其他 |
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离子污染度测试仪
▲总述
本设备为两室真空系统。其中一室为进样取样室，另一室为刻蚀室。进样取样室与刻蚀室之间装有真空锁，进样取样采用机械手运送。
本设备主要由真空系统、气路系统、电气系统、控制系统，冷却系统、送取片机构、报警系统等组成。
▲真空系统
本系统由一个抽速600升/秒分子泵+抽速9升/秒真空泵组成抽气系统, 将刻蚀室抽至高真空, 分子泵与刻蚀室之间装有压力调节阀电插板阀, 机械泵为刻蚀室予抽泵及分子泵前级泵。用另一个抽速9升/秒机械泵将进取样室抽至真空状态。 机械泵与真空室之间及与分子泵之间均采用不锈钢波纹管连接, 并装有电磁气动隔断阀。
▲恒压控制系统
本设备配有下游恒压控制系统，在抽气管路装有一电动可调节阀，通过薄膜规测量（进口件），可调节阀控制，使真空室达到恒压,从而提高工艺稳定性。
▲射频电源系统
采用射频电源两套，带自动动匹配。
▲气路系统
由4个质量流量控制器控制4路气体进气。气体管路均采用1/4英寸不锈钢硬管，管路接头连接形式采用双卡套连接。质量流量控制器采用美国技术,气路阀门、管路等采用进口件。
▲控制系统
采用工控机及PLC控制，通过触摸屏设置参数及显示测量值、状态等，实现真空系统及工艺过程自动化。本机可选择全自动及非全自动模式。
▲报警系统：设备所需安全要求。
二. 主要技术指标
1. 极限真空: 刻蚀室9.0×10-5 Pa (室内湿度≤55%)
进样取样室6.0×10-1 Pa
2. 刻蚀材料: Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、深刻硅等
3. 刻蚀速率: 0.01~ 2μ/min
4. 刻蚀均匀性: ≤±5％(φ125mm范围内)；
5. 电极尺寸: φ200mm
三．设备基本配置
1. 真空泵源: 抽速600升/秒分子泵一台
抽速9升/秒机械泵二台
2. 射频功率源: RF 500W射频电源及自动匹配器一套
RF 1000W射频电源及自动匹配器一套
3. 气路系统: 4台质量流量计控制四路进气（七星华创）
(管件阀门：进口)
4. 真空测量： 复合真空计一台
5．恒压系统： 薄膜规一个(进口)
可调节阀一套
6. 自动控制系统一套（含工控机，PLC控制器，17〞触摸显示屏、 驱动电路等）
离子污染度测试仪
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