大部分对于 VCSELs(一种特殊的半导体激光二极管)的研究活动,最早起始于 1979 年。从那个时候 VCSELs 就已经成为了一种成熟技术,在很多应用领域中,都与边发射式激光器(EEL)存在竞争,甚至在某些特定的应用中已经取代了它们,比如短距离的光纤通信。
由于光的出射是垂直于外延层的,所以让 VCSELs 特别容易批量生产,因为它可以在晶圆级别进行光学测试和分拣,得益于精密制造中的过程控制,让 VCSELs 的生产成本低于了 EELs。较低的价格结合良好的性能:低功耗、高调制带宽,使其在自动驾驶、激光打印、光学鼠标和光纤通信应用中得到了广泛地使用。
最近的几年中,VCSELs 技术,尤其是 2D 阵列式 VCSEL技术在新兴的3D光传感应用和市场中成为了一种趋势,例如:
面部&手势识别
不论是在实验室,还是在生产线的测量环境中,Instrument Systems 都可以提供客户定制化的软硬件解决方案,去应对不同场景下 VCSELs 电光性能的表征和质量控制。
Fig.2 高分辨率阵列式光谱仪+积分球系统,可以完成快速、可靠的 VCSELs 光谱表征。可选的光电二极管传感器,可以进一步增加辐射功率测量的精度。
对于高精度的测量,建议使用自吸收校正方法,去修正由被测试器件及其周围环境的波长相关反射率而产生的偏差。正因为这一点,所以选择搭配一只具有合适的光谱功率密度分布的辅助照明光源显得十分有必要,VCSELs 的窄光谱带宽一般在几个纳米,因此,要求测量设备的光谱分辨率必须在 1 个纳米以下。
优势
关键参数 ✓ 光谱 ✓ 半波宽 ✓ 峰值波长 ✓ 辐射功率 |
\\ 展望:快速和高度精确的生产线 VCSEL 测量
VCSEL实验室的纳秒脉冲时间分辨测量解决方案
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