型号: | EVG810 LT |
产地: | 奥地利 |
品牌: | EVG |
评分: |
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EVG810 LT 低温等离子活化系统
用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级衬底键合的低温等离子体活化系统
一、简介
EVG810 LT (LowTemp™)低温等离子活化系统是一个独立单腔室系统,具有手动操作功能。 处理室允许非原位处理(晶片一个接一个地激活并且键合在等离子体活化室外部)。
二、特征
用于低温键合的表面等离子体活化(熔合/分子和中间层键合)
任何晶圆键合机制的zui快动力学
无需湿法工艺
低温退火时的zui高键合强度(zui高400°C)
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进封装
高度的材料兼容性(包括CMOS)
三、参数
1.晶圆尺寸:50-200mm,100-300mm
2.低温等离子活化腔:
工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)
通用大流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)
真空系统:0.09 mbar
打开/关闭腔室:自动化
装载/卸载腔室:手动(晶圆/基板放置在装载销上)
3.备选功能:
用于不同的晶圆尺寸的夹头
金属离子激活
带有气体混合的附加工艺气体
带涡轮泵的高真空系统:0.009 mbar的基础气压
技术/销售热线:021-3861367
邮箱:
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