深硅刻蚀设备

深硅刻蚀设备

参考价:面议
型号: RIE-800iPB
产地: 日本
品牌: SAMCO
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产品详情

1. 产品概述

Samco 的 RIE-800iPB 是一种高性能的电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统,使用高密度等离子体进行 MEMS 和 TSV 应用所需的深度硅蚀刻。

RIE-800iPB是为Bosch工艺设计的用硅蚀刻系统(由Robert Bosch GmbH授权)。该系统独特的反应室、电、平台和真空设计克服了在竞争系统中遇到的问题,可实现高速(约50 μm/min)、无倾斜、高剖面蚀刻,具有行业先的选择性(超过100:1)。

2. 设备用途/原理

MEMS(加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等)。通过硅通道(TSV)喷墨打印机头的加工功率器件(超结MOSFET)等离子切割/划线

3. 设备特点

MEMS量产中的高速蚀刻量产中的高宽比蚀刻扇贝的控制/无扇贝的非波西法流程倾斜控制,均匀性好用于绝缘体硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脉冲。


深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供SAMCO深硅刻蚀设备RIE-800iPB,SAMCORIE-800iPB产地为日本,属于进口湿法腐蚀/刻蚀设备,除了深硅刻蚀设备的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多湿法腐蚀/刻蚀设备,客服电话400-860-5168转5919,售前、售后均可联系。

售后服务
  • 产品货期: 60天
  • 培训服务: 安装调试现场免费培训

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