| 型号： | 2英寸 |
| 产地： | 江苏 |
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氮化镓晶片生产厂家
苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产销售2英寸及4英寸蓝宝石氮化镓衬底片，衬底结构GaN-On-Sapphire。GaN氮化镓外延厚度有4.5um和20um两种。2英寸蓝宝石衬底厚度为430um，4英寸蓝宝石衬底厚度为650um。掺杂类型分为N型非掺杂，N型硅掺杂及镁掺杂。蓝宝石氮化镓晶片包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。
蓝宝石氮化镓衬底晶片尺寸：2 inch 50.8mm±1mm
蓝宝石衬底厚度：430um
衬底结构：GaN-On-Sapphire
掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/P型镁掺杂
氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向：C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°
位错密度：≤5x108cm-2
包装方式：晶圆盒或Cassette盒
抛光要求：单抛/双抛
氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
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