资料摘要
资料下载1 范围 GB/T4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下： a)检测和测量半导体器件关健参数的退化与中子注量的关系； b)确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内 (见第4章)。 2试验设备 2.1 测试仪器 辐射试验中采用的测试仪器应是能测量所要求电参数的标准实验室电子测试仪器，如电源、数字电压表和皮安培计等。
文献贡献者
GB/T 4909.7-2009 裸电线试验方法 第7部分：卷绕试验
简介：1 范围 GB/T4909的本部分规定了裸电线卷绕试验的试验设备、试件制备、测量步骤、试验结果及评定等。 本部分适用于测定标称直径d为0.3mm～10.0mm的铜、铝及其合金、双金属线等圆截面导体及 特征尺寸a≤20.0mm的异形截面导体(如接触线等)的卷绕性能。 本试验方法是将试件围绕规定直径的试棒卷绕规定圈数，观察其表面的变化。卷绕方式可以是重复卷绕或一次卷绕。 本部分应与GB/T 4909.1--2009一起使用。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过GB/T4909的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有申嵯改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研穷是香可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。 GB/T4909,y-2009裸电线试验方法 第1部分：总则
GB/T 4909.6—2009裸电线试验方法第6部分：弯曲试验——单向弯曲
简介：1 范围GB/T4909的本部分规定了裸电线弯曲试验中的单向弯曲试验的试验设备、试件制备、测量步骤、试验结果及评定等。本部分适用于测定标称直径d为0.300 mm～10.00 mm的铜、铝及其合金、双金属线等圆形、矩形截面导体的单向弯曲性能。本部分是将试件沿规定弯曲半径弯成一定的角度，观察弯曲后试件的张力表面情况。本部分应与GB/T 4909.1—2009一起使用。
GB/T 4909.5—2009 裸电线试验方法 第5部分：弯曲试验——反复弯曲
简介：1 范围 GB/T4909的本部分规定了裸电线弯曲试验中的反复弯曲试验的试验设备、试件制备、测量步骤、试验结果及评定等。 本部分适用于测定标称直径d为0.3mm～10.0mm的铜、铝及其合金、双金属线等圆截面导体及 特征尺寸u≤20.0 mm的异形截面导体(如接触线等)的反复弯曲性能。 本部分是将试件一端固定，自由端沿规定半径的圆柱面作正反方向90°的弯曲试验，弯曲到规定的次数或到试件断裂为止。 本部分应与GB/T 4909.1—2009一起使用。
GB/T 4909.4—2009 裸电线试验方法 第4部分：扭转试验
简介：1 范围 GB/T4909的本部分规定了裸电线扭转试验的试验设备、试件制备、测量步骤、试验结果及评定等。 本部分适用于测定标称直径d为0.300mm～10.00 mm的铜、铝及其合金、双金属线等圆截面导体及特征尺寸a≤20.00 mm的异形截面导体(如接触线等)的扭转性能。 本部分是将规定长度的试件，以其自身的轴线为中线扭转，直至断裂或达到规定的扭转次数为止。本部分应与GB/T4909.1—2009一起使用。
GB/T 4909.3-2009 裸电线试验方法 第3部分：拉力试验
简介：1 范围 GB/T4909的本部分规定了裸电线拉力试验的试验设备、试样制备、测量步骤、试验结果及评定等。 本部分适用于各种圆形、矩形、异形导体及绞合导体的拉伸性能的测量。 本部分规定的试验方法是使一定长度的试件承受递增的拉应力，通常是直到试样断裂，测定其破断力和伸长率。 本部分应与GB/T4909.12009一起使用。
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