资料摘要
资料下载1 范围 GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无源元件)。 本部分适用于空腔封装，也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm²的芯片，以及倒装芯片和易弯曲基板。 注1:通过测量对芯片或元件所加力的大小，观察在该力作用下产生的失效类型(如果出现失效)以及残留的芯片附着材料和基板/管座金属化层外形来判断器件是否接收。 注2:对于空腔封装，芯片剪切强度试验是为了确定空腔内的芯片附着强度。对于非空腔封装，如塑封，芯片粘接是为了防止芯片在树脂铸模完全成型之前发生位移， 除以下情形外，不需要提供芯片剪切强度说明和铸模之后芯片粘结最小面积： a) 芯片与焊盘之间存在电连接； b)芯片热量需通过粘结处散发。
文献贡献者
GB/T 4909.7-2009 裸电线试验方法 第7部分：卷绕试验
简介：1 范围 GB/T4909的本部分规定了裸电线卷绕试验的试验设备、试件制备、测量步骤、试验结果及评定等。 本部分适用于测定标称直径d为0.3mm～10.0mm的铜、铝及其合金、双金属线等圆截面导体及 特征尺寸a≤20.0mm的异形截面导体(如接触线等)的卷绕性能。 本试验方法是将试件围绕规定直径的试棒卷绕规定圈数，观察其表面的变化。卷绕方式可以是重复卷绕或一次卷绕。 本部分应与GB/T 4909.1--2009一起使用。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过GB/T4909的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有申嵯改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研穷是香可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。 GB/T4909,y-2009裸电线试验方法 第1部分：总则
GB/T 4909.6—2009裸电线试验方法第6部分：弯曲试验——单向弯曲
简介：1 范围GB/T4909的本部分规定了裸电线弯曲试验中的单向弯曲试验的试验设备、试件制备、测量步骤、试验结果及评定等。本部分适用于测定标称直径d为0.300 mm～10.00 mm的铜、铝及其合金、双金属线等圆形、矩形截面导体的单向弯曲性能。本部分是将试件沿规定弯曲半径弯成一定的角度，观察弯曲后试件的张力表面情况。本部分应与GB/T 4909.1—2009一起使用。
GB/T 4909.5—2009 裸电线试验方法 第5部分：弯曲试验——反复弯曲
简介：1 范围 GB/T4909的本部分规定了裸电线弯曲试验中的反复弯曲试验的试验设备、试件制备、测量步骤、试验结果及评定等。 本部分适用于测定标称直径d为0.3mm～10.0mm的铜、铝及其合金、双金属线等圆截面导体及 特征尺寸u≤20.0 mm的异形截面导体(如接触线等)的反复弯曲性能。 本部分是将试件一端固定，自由端沿规定半径的圆柱面作正反方向90°的弯曲试验，弯曲到规定的次数或到试件断裂为止。 本部分应与GB/T 4909.1—2009一起使用。
GB/T 4909.4—2009 裸电线试验方法 第4部分：扭转试验
简介：1 范围 GB/T4909的本部分规定了裸电线扭转试验的试验设备、试件制备、测量步骤、试验结果及评定等。 本部分适用于测定标称直径d为0.300mm～10.00 mm的铜、铝及其合金、双金属线等圆截面导体及特征尺寸a≤20.00 mm的异形截面导体(如接触线等)的扭转性能。 本部分是将规定长度的试件，以其自身的轴线为中线扭转，直至断裂或达到规定的扭转次数为止。本部分应与GB/T4909.1—2009一起使用。
GB/T 4909.3-2009 裸电线试验方法 第3部分：拉力试验
简介：1 范围 GB/T4909的本部分规定了裸电线拉力试验的试验设备、试样制备、测量步骤、试验结果及评定等。 本部分适用于各种圆形、矩形、异形导体及绞合导体的拉伸性能的测量。 本部分规定的试验方法是使一定长度的试件承受递增的拉应力，通常是直到试样断裂，测定其破断力和伸长率。 本部分应与GB/T4909.12009一起使用。
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