10us浪涌电流测试仪 HUSTEC-IFSM-1200A 华科智源
10us浪涌电流测试仪 HUSTEC-IFSM-1200A 华科智源

10us浪涌电流测试仪 HUSTEC-IFSM-1200A 华科智源

参考价:¥1
型号: HUSTEC-IFSM-1200A
产地: 广东
品牌: 华科智源
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华科智源-二极管浪涌电流是指电源线接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。

半导体器件在工作时,有时要承受较大的冲击电流,器件的用途不同,要求器件能承受浪涌电流的能力也不同,为了检测器件承受浪涌电流的能力,可产生一个大的浪涌电流施加于被测器件上,从而检测被测器件是否能承受大浪涌电流的冲击。


华科智源浪涌电流试验仪的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。浪涌电流试验台,是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,该设备具有如下特点:

1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备,对设备的电气性能要求高。

2、该试验台的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。

3、该试验台采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。

4、该套测试设备主要由以下几个单元组成:

   a、浪涌测试单元

   b、阻断参数测试单元

   c、计算机控制系统

二、技术条件

2.1 环境要求:

1环境温度:1540

2相对湿度:存放湿度不大于80%

3大气压力:86Kpa—106Kpa

4海拔高度:1000米以下

5电网电压:AC220V±10%无严重谐波

6电网频率:50Hz±1Hz

7电源功率:小于1.5KW

8供电电网功率因数:>0.9

2.2主要技术指标:

1、浪涌电流(ITSM/IFSM)测试范围:301200A;选配3000A,8000A,20kA,50kA等

2、浪涌电流(ITSM/IFSM)精度要求:显示分辨率1A精度±3%

  浪涌电流(ITSM/IFSM)波形:近似正弦半波;

3、浪涌电流底宽:8.310ms;选配1ms,10us等

4、测试频率:单次;重复

5、反向电压(VRRM)测试范围:2002000V

6、反向电压(VRRM)显示分辨率10V,精度±3%

7、反向电压频率:DC直流

8、各种模块均手动连接,并以单管形式测试。

9、采用计算机控制、采样及显示;

深圳市华科智源科技有限公司为您提供10us浪涌电流测试仪 HUSTEC-IFSM-1200A 华科智源,华科智源HUSTEC-IFSM-1200A产地为广东,属于国产半导体器件测试仪器,除了10us浪涌电流测试仪 HUSTEC-IFSM-1200A 华科智源的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多半导体器件测试仪器,华科智源客服电话,售前、售后均可联系。

售后服务
  • 产品货期: 10天
  • 培训服务: 安装调试现场免费培训
  • 安装调试时间: 到货后7天内
  • 电话支持响应时间: 1小时内
  • 维修响应时间: 2天内

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