| 型号： | RDA-005G |
| 产地： | 日本 |
| 品牌： | 京都玉崎 |
| 评分： |
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反射式高速电子衍射仪RHEED 制造商名称：R-DEC株式会社RDA-005G
随着薄膜晶体生长技术的发展，反射高速电子衍射作为结晶评价的观察方法已成为不可或缺的手段。在RHEED中，大约10至30KeV的电子束通常以几度的浅入射角入射到样品表面，由于电子的波动性，电子束被晶格衍射，投影到对面的屏幕上，这是一种可以让您检查结构的设备。
紧凑的设计
实现高亮度（与本公司相比120%）
具有联锁安全机构
标准配备磁屏蔽
高耐用性和可靠性
符合RoHS指令
新增光束消隐功能
数字控制提高稳定性
设定值保存/恢复功能，可保存100种最佳条件设定值
采用液晶显示，让您即时查看所有参数
支持使用 k-Sapce 图像分析系统 (kSA 400) 进行原位分析
电子枪
| 模型 | RDA-005G |
| 绝缘电压 | 直流30kV |
| 光斑直径 | 最小Φ90μm |
| 灯丝 | 钨钢发夹 |
| 韦纳特 | 可变偏差 |
| 聚焦镜 | 空芯电磁透镜 |
| 偏光镜片 | 环形电磁透镜 |
| 光束偏转 | X/Y：±8° |
| 磁屏蔽 | 标准设备 |
| 运营压力 | < 1×10 -3 Pa 单级差动排气型 <1 Pa * ) |
| 最高烘烤温度 | 200℃ |
| 安装法兰 | ICF70-FH |
| 尺寸 | Φ100 mm x 335 mm （455 mm 包括连接器） |
*选项：RDA-005G-DP
电源
| 模型 | RDA-006P |
| 加速电压 | -3 ~ -30 kV (纹波 15 V pp) |
| 发射电流 | 高达 80 μA |
| 灯丝电源 | 0 至 +2 V，高达 1.9 A |
| 偏置电源 | 0 至 480 V 可变（纹波 5 m V pp） |
| 具有记忆功能的遥控器 | LCD显示：加速电压、发射电流、灯丝电流、 偏置电压、光束偏转（X/Y）、焦点（Z） |
| 互锁 | 高压互锁装置 |
| 电缆 | 高压电缆5 m，遥控电缆7 m |
| 外部输入/输出 | 模拟数字 I/O，兼容 kSA 400 喷枪控制 |
| 输入功率 | 交流100V |
| 尺寸 | EIA 4U 高 177 毫米 x 宽 482.5 毫米 x 深 450 毫米 |
| 其他的 | 符合 RoHS 标准 |
除了晶格间距、应变变化、薄膜生长速率、薄膜厚度和相干长度之外，您还可以通过 RHEED 衍射图像轻松监控评估/分析晶体薄膜表面所需的信息。除了分析获取的衍射图像和视频外，还可以对高速基板旋转期间获取的数据进行精确的原位分析。
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