型号: | BC D -310 |
产地: | 北京 |
品牌: | 百川宏宇 |
评分: |
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概述:采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门,实验室;是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示,温度补偿功能,自动量程,自动测量电阻,电阻率,电导率数据。恒流源输出;选配:PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器,薄膜按键操作简单,中文或英文两种语言界面选择,电位差计和电流计或数字电压表,量程为1mV¯100mV,分辨率为0.1%,直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距,四探针应以等距离直线排列,探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R; +R,)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比,由表3中查出修正因子F,也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F,见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样,选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针,针尖与试样间压力为0.3 N¯0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样,选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针,针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… …
测量装置测量装置的典型电路叉图1,范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量,但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件,测量两内操针之间的电位差,引人与试样几何形软有关的修正因子,计算出薄层电阻。覆盖膜;导电高分子膜,高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.
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