| 型号： | BCD - 310 |
| 产地： | 北京 |
| 品牌： | 百川宏宇 |
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测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.
R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可
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