FEI推出7nm厚TEM薄片试样制备双束系统

　　11月2日，FEI宣布推出新型Helios^TM G4双束系统，该系统可以为先进半导体制造和失效分析应用，高通量制备超薄TEM分析用薄片。

　　新型双束系统包括FX和HX两种型号，在仪器的技术水平和使用易用性方面都有重大的飞跃。

　　新Phoenix聚焦离子束能够进行高精度的精细切割，使得超薄(小于10nm)TEM薄片试样的制备更加简单。

　　现在只需几分钟时间就可以获得图像，而不需要像以前一样花费几个小时甚至数天的时间在一台独立的S/TEM系统上获得图像。HX型号是专门用于高通量TEM薄片试样制备。它有一个自动QuickFlip样品杆，可以帮助减少样品制备时间。

　　FEI半导体业务副总裁兼总经理Rob Krueger 表示：“FEI是市场上第一个推出7nm厚TEM薄片试样制备解决方案的公司，能够满足正在研发新一代设备的用户需求。”

　　“此外，双束系统能够提供小于3埃的图像分辨率，这使得失效分析实验室能够大幅缩减数据采集的时间，而不会降低图像质量。另外，将高分辨率成像和样品制备集中到一台仪器上，有效的节省了实验室空间。”

　　失效分析对于芯片制造变得越来越重要。因此，相比于整体的半导体设备市场，失效分析设备市场需求增长十分强劲，这个市场有超过30家供应商。然而，最近VLSI发布的一份研究报告显示FEI依然是这个市场的领先供应商。