导读:FEI半导体业务副总裁兼总经理Rob Krueger 表示:“FEI是市场上第一个推出7nm厚TEM薄片试样制备解决方案的公司,能够满足正在研发新一代设备的用户需求。”
11月2日,FEI宣布推出新型HeliosTM G4双束系统,该系统可以为先进半导体制造和失效分析应用,高通量制备超薄TEM分析用薄片。
新型双束系统包括FX和HX两种型号,在仪器的技术水平和使用易用性方面都有重大的飞跃。
新Phoenix聚焦离子束能够进行高精度的精细切割,使得超薄(小于10nm)TEM薄片试样的制备更加简单。
现在只需几分钟时间就可以获得图像,而不需要像以前一样花费几个小时甚至数天的时间在一台独立的S/TEM系统上获得图像。HX型号是专门用于高通量TEM薄片试样制备。它有一个自动QuickFlip样品杆,可以帮助减少样品制备时间。
FEI半导体业务副总裁兼总经理Rob Krueger 表示:“FEI是市场上第一个推出7nm厚TEM薄片试样制备解决方案的公司,能够满足正在研发新一代设备的用户需求。”
“此外,双束系统能够提供小于3埃的图像分辨率,这使得失效分析实验室能够大幅缩减数据采集的时间,而不会降低图像质量。另外,将高分辨率成像和样品制备集中到一台仪器上,有效的节省了实验室空间。”
失效分析对于芯片制造变得越来越重要。因此,相比于整体的半导体设备市场,失效分析设备市场需求增长十分强劲,这个市场有超过30家供应商。然而,最近VLSI发布的一份研究报告显示FEI依然是这个市场的领先供应商。
来源于:仪器信息网译
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