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基于步进扫描的光调制反射光谱方法及装置获国家专利授权

近日,一种“基于步进扫描的光调制反射光谱方法及装置”近日获得国家知识产权局专利授权。该专利由中科院上海技术物理研究所邵军、陆卫等科研人员发明。

该装置包括傅立叶变换红外光谱测量系统、作为泵浦光源的激光器、以及联结傅立叶变换红外光谱仪中探测器与电路控制板的锁相放大器和低通滤波器,置于样品与激光器之间光路上的斩波器,从而使连续泵浦激光变为调制激光,并馈入锁相放大器的输入参考端来控制锁相。该方法使用上述装置进行光调制反射光谱测量,包括消除泵浦光的漫反射信号以及泵浦光产生的光致发光信号的干扰;消除傅立叶频率和增强中、远红外波段微弱光信号的探测能力三个功能。

经过对分子束外延生长GaNxAs1-x/GaAs 单量子阱样品和Ga1-xInxP/AlGaInP多量子阱材料的光调制反射光谱实际测试。表明本发明显著提高探测灵敏度和光谱信噪比,并具有快速、便捷的优点,特别适用于中、远红外光电材料微弱光特性的检测。

来源于:上海技术物理研究所

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近日,一种“基于步进扫描的光调制反射光谱方法及装置”近日获得国家知识产权局专利授权。该专利由中科院上海技术物理研究所邵军、陆卫等科研人员发明。

该装置包括傅立叶变换红外光谱测量系统、作为泵浦光源的激光器、以及联结傅立叶变换红外光谱仪中探测器与电路控制板的锁相放大器和低通滤波器,置于样品与激光器之间光路上的斩波器,从而使连续泵浦激光变为调制激光,并馈入锁相放大器的输入参考端来控制锁相。该方法使用上述装置进行光调制反射光谱测量,包括消除泵浦光的漫反射信号以及泵浦光产生的光致发光信号的干扰;消除傅立叶频率和增强中、远红外波段微弱光信号的探测能力三个功能。

经过对分子束外延生长GaNxAs1-x/GaAs 单量子阱样品和Ga1-xInxP/AlGaInP多量子阱材料的光调制反射光谱实际测试。表明本发明显著提高探测灵敏度和光谱信噪比,并具有快速、便捷的优点,特别适用于中、远红外光电材料微弱光特性的检测。