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我国学者成功开发新型5 nm超高精度激光光刻加工方法

导读:近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员与国家纳米中心刘前研究员合作,在NanoLetters上发表了研究论文,报道了一种他们开发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法。

       近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员与国家纳米中心刘前研究员合作,在NanoLetters上发表了研究论文,报道了一种他们开发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法。   

  据悉,研究团队设计开发了一种新型三层堆叠薄膜结构。在无机钛膜光刻胶上,采用双激光束交叠技术,通过精确控制能量密度及步长,实现了1/55衍射极限的突破,达到了最小5nm的特征线宽。

  此外,研究团队利用这种超分辨的激光直写技术,实现了纳米狭缝电极阵列结构的大规模制备。同时,该团队还利用发展的新技术制备出了纳米狭缝电极为基本结构的多维度可调的电控纳米SERS传感器。

  值得一提的是,研究团队所开发的具有完全知识产权的激光直写设备,利用了激光与物质的非线性相互作用来提高加工分辨率,其有别于传统的缩短激光波长或增大数值孔径的技术路径;并打破了传统激光直写技术中受体材料为有机光刻胶的限制,可使用多种受体材料,极大地扩展了激光直写的应用场景。

  目前,该工作得到了国家重点研究计划项目、国家自然科学基金、Eu-FP7项目、中国博士后科学基金的支持。

来源于:中国半导体行业协会网

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       近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员与国家纳米中心刘前研究员合作,在NanoLetters上发表了研究论文,报道了一种他们开发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法。   

  据悉,研究团队设计开发了一种新型三层堆叠薄膜结构。在无机钛膜光刻胶上,采用双激光束交叠技术,通过精确控制能量密度及步长,实现了1/55衍射极限的突破,达到了最小5nm的特征线宽。

  此外,研究团队利用这种超分辨的激光直写技术,实现了纳米狭缝电极阵列结构的大规模制备。同时,该团队还利用发展的新技术制备出了纳米狭缝电极为基本结构的多维度可调的电控纳米SERS传感器。

  值得一提的是,研究团队所开发的具有完全知识产权的激光直写设备,利用了激光与物质的非线性相互作用来提高加工分辨率,其有别于传统的缩短激光波长或增大数值孔径的技术路径;并打破了传统激光直写技术中受体材料为有机光刻胶的限制,可使用多种受体材料,极大地扩展了激光直写的应用场景。

  目前,该工作得到了国家重点研究计划项目、国家自然科学基金、Eu-FP7项目、中国博士后科学基金的支持。