Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于光学器件精密加工

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于光学器件精密加工

某光学器件制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于光学器件精密加工,通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数

Φ4 inch X 12片	基片尺寸	Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片
	均匀性	±5%
	硅片刻蚀率	20 nm/min
	样品台	直接冷却,水冷
	离子源	Φ20cm考夫曼离子源

 

Hakuto离子刻蚀机20IBE-J的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

离子源型号	RFICP 220
Discharge	RFICP射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦,平行,散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2,其他
典型压力	< 0.5m Torr
中和器	LFN 2000

 

采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  可以使 PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面, 通过蚀刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分别为61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm.该刻蚀工艺能有效提高光学器件聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论,请参考以下联络方式:

上海伯东:罗先生                               台湾伯东:王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
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