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国际争先 明星云集!第三代半导体主题论坛“C位”闪耀BCEIA2021

导读:以氮化镓、金刚石等为代表的第三代半导体是制备高光效光电器件和大功率电子器件的优选材料体系,在固态照明、5G通讯、新能源汽车、智能显示等新一代信息产业中极具发展潜力,是全球半导体产业的重点发展方向。

2021年9月27日,两年一度的科学仪器行业盛会——第十九届北京分析测试学术报告会暨展览会(简称BCEIA 2021)在北京·中国国际展览中心盛大开幕。会议同期举办了半导体检测与标准论坛会议,该论坛由中国分析测试协会、中国有色金属学会理化检验学术委员会主办。

会议围绕第三代半导体材料与工艺、第三代半导体物理与器件、第三代半导体测试评价技术与仪器、第三代半导体产业中的质量基础设施建设等报告方向,邀请到中科院半导体研究所研究员赵德刚、国合通用测试评价认证股份公司高级工程师刘红、南京大学教授刘斌、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱、欧波同(中国)有限公司经理苏瑞雪、西安电子科技大学教授张进成、第三代半导体产业技术创新联盟高伟博士、清华大学副教授汪莱、武汉理工大学副教授张侨、中科院半导体研究所研究员闫建昌、北京大学高级工程师杨学林、国网全球能源互联网研究院杨霏。

会议现场

主持人:中国分析测试协会常务理事、中国有色金属学会理化检测委员会委员 孙泽明

报告人:中科院半导体研究所研究员 赵德刚

报告题目:《GaN基材料与激光器》

报告人:国合通用测试评价认证股份公司高级工程师 刘红

报告题目:《半导体材料中痕量杂质元素的分析》

报告人:南京大学教授 刘斌

报告题目:《新结构氮化镓基Micro-LED器件制备与应用》


报告人:中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员 孙钱

报告题目:《硅基GaN功率电子器件及材料研究进展》

从专家们的报告中可以看出,我国当前在第三代半导体领域发展速度惊人,具有国际影响力的创新性和突破性的成果频出,并取得了国际同行的高度认可。以氮化镓、金刚石等为代表的第三代半导体是制备高光效光电器件和大功率电子器件的优选材料体系,在固态照明、5G通讯、新能源汽车、智能显示等新一代信息产业中极具发展潜力,是全球半导体产业的重点发展方向。如何紧密围绕国家战略导向与产业发展需求,推动我国第三代半导体及其相关产业的进一步发展,进一步提升材料质量与器件性能水平,实现关键技术自主可控,在尺寸单晶衬底、硅基氮化镓、微型发光二极管、紫外发光/探测器件、射频/功率电子器件、器件失效分析、高纯材料检测等前沿领域实现突破,是本次会议的核心重点;国内优秀中青年科学家也借此机会探讨我国第三代半导体发展中存在的问题及未来技术发展方向。


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来源于:仪器信息网

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2021年9月27日,两年一度的科学仪器行业盛会——第十九届北京分析测试学术报告会暨展览会(简称BCEIA 2021)在北京·中国国际展览中心盛大开幕。会议同期举办了半导体检测与标准论坛会议,该论坛由中国分析测试协会、中国有色金属学会理化检验学术委员会主办。

会议围绕第三代半导体材料与工艺、第三代半导体物理与器件、第三代半导体测试评价技术与仪器、第三代半导体产业中的质量基础设施建设等报告方向,邀请到中科院半导体研究所研究员赵德刚、国合通用测试评价认证股份公司高级工程师刘红、南京大学教授刘斌、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱、欧波同(中国)有限公司经理苏瑞雪、西安电子科技大学教授张进成、第三代半导体产业技术创新联盟高伟博士、清华大学副教授汪莱、武汉理工大学副教授张侨、中科院半导体研究所研究员闫建昌、北京大学高级工程师杨学林、国网全球能源互联网研究院杨霏。

会议现场

主持人:中国分析测试协会常务理事、中国有色金属学会理化检测委员会委员 孙泽明

报告人:中科院半导体研究所研究员 赵德刚

报告题目:《GaN基材料与激光器》

报告人:国合通用测试评价认证股份公司高级工程师 刘红

报告题目:《半导体材料中痕量杂质元素的分析》

报告人:南京大学教授 刘斌

报告题目:《新结构氮化镓基Micro-LED器件制备与应用》


报告人:中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员 孙钱

报告题目:《硅基GaN功率电子器件及材料研究进展》

从专家们的报告中可以看出,我国当前在第三代半导体领域发展速度惊人,具有国际影响力的创新性和突破性的成果频出,并取得了国际同行的高度认可。以氮化镓、金刚石等为代表的第三代半导体是制备高光效光电器件和大功率电子器件的优选材料体系,在固态照明、5G通讯、新能源汽车、智能显示等新一代信息产业中极具发展潜力,是全球半导体产业的重点发展方向。如何紧密围绕国家战略导向与产业发展需求,推动我国第三代半导体及其相关产业的进一步发展,进一步提升材料质量与器件性能水平,实现关键技术自主可控,在尺寸单晶衬底、硅基氮化镓、微型发光二极管、紫外发光/探测器件、射频/功率电子器件、器件失效分析、高纯材料检测等前沿领域实现突破,是本次会议的核心重点;国内优秀中青年科学家也借此机会探讨我国第三代半导体发展中存在的问题及未来技术发展方向。