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SiC MOSFET功率循环试验方法等两项团体标准公开征求意见

导读:《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》等两项团体标准已完成征求意见稿的编制,现公开征求意见。

由工业和信息化部电子第五研究所提出,并主责起草的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》(T/CASA 015)和《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》(T/CASA 016)两项团体标准已完成征求意见稿的编制,根据《CASAS管理和标准制修订细则》有关规定,为保证标准的科学性、严谨性和适用性,现公开征求意见。

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》(T/CASA 015)规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法,评价器件在承受规定应力的条件下是否符合规定的循环次数。对于提升SiC MOSFET器件的可靠性评价与分析技术能力,支撑SiC MOSFET器件的可靠性改进具有重要意义。

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》(T/CASA 016)规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法,适用于SiC MOSFET分立器件的结壳热阻测试。

具体通知如下:

关于《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》等2项团体标准征求意见的通知


各有关单位:

由工业和信息化部电子第五研究所提出,并主责起草的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》(T/CASA 015)和《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》(T/CASA 016)两项团体标准已完成征求意见稿的编制,根据《CASAS管理和标准制修订细则》有关规定,为保证标准的科学性、严谨性和适用性,现公开征求意见。

请各有关单位及专家对本标准提出宝贵建议和意见,于2021年11月30日前以邮件的形式将《团体标准征求意见反馈表》反馈至联盟秘书处。


特此通知。

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

2021年11月3日



来源于:仪器信息网

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由工业和信息化部电子第五研究所提出,并主责起草的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》(T/CASA 015)和《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》(T/CASA 016)两项团体标准已完成征求意见稿的编制,根据《CASAS管理和标准制修订细则》有关规定,为保证标准的科学性、严谨性和适用性,现公开征求意见。

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》(T/CASA 015)规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法,评价器件在承受规定应力的条件下是否符合规定的循环次数。对于提升SiC MOSFET器件的可靠性评价与分析技术能力,支撑SiC MOSFET器件的可靠性改进具有重要意义。

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》(T/CASA 016)规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法,适用于SiC MOSFET分立器件的结壳热阻测试。

具体通知如下:

关于《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》等2项团体标准征求意见的通知


各有关单位:

由工业和信息化部电子第五研究所提出,并主责起草的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》(T/CASA 015)和《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》(T/CASA 016)两项团体标准已完成征求意见稿的编制,根据《CASAS管理和标准制修订细则》有关规定,为保证标准的科学性、严谨性和适用性,现公开征求意见。

请各有关单位及专家对本标准提出宝贵建议和意见,于2021年11月30日前以邮件的形式将《团体标准征求意见反馈表》反馈至联盟秘书处。


特此通知。

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

2021年11月3日