导读:近日,第三代半导体产业技术创新战略联盟发布关于团体技术报告《SiC MOSFET可靠性分析》立项的通知。
近日,第三代半导体产业技术创新战略联盟发布关于团体技术报告《SiC MOSFET可靠性分析》立项的通知。
通知如下:
关于团体技术报告《SiC MOSFET可靠性分析》立项的通知
各有关单位:
复旦大学等单位提交了《SiC MOSFET可靠性分析》。秘书处初步形式审核,认为该技术报告的制定将衔接SiC MOSFET产业链上中下游,助力产业对该器件可靠性的统一认识,且无商业宣传、框架逻辑清晰,符合CASAS技术报告的立项条件,故审核通过,分配编号T/CASA/TR 002。特此通知。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
2022年3月11日
来源于:第三代半导体产业技术创新战略联盟
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