《SiC MOSFET可靠性分析》团体技术报告立项
导读：近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟发布关于团体技术报告《SiC MOSFET可靠性分析》立项的通知。
近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟发布关于团体技术报告《SiC MOSFET可靠性分析》立项的通知。
通知如下：
关于团体技术报告《SiC MOSFET可靠性分析》立项的通知
各有关单位：
复旦大学等单位提交了《SiC MOSFET可靠性分析》。秘书处初步形式审核，认为该技术报告的制定将衔接SiC MOSFET产业链上中下游，助力产业对该器件可靠性的统一认识，且无商业宣传、框架逻辑清晰，符合CASAS技术报告的立项条件，故审核通过，分配编号T/CASA/TR 002。特此通知。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
2022年3月11日
来源于：第三代半导体产业技术创新战略联盟
打开APP，掌握第一手行业动态
打赏
点赞
KPC
总阅读量 0
TA的文章
相关阅读
预算2.90亿元！北京邮电大学近期大批仪器采购意向
dahua1981
1691万！济南海关2024年实验室仪器设备更新项目（第六批、第七批）
dahua1981
1805万！长沙海关技术中心2024年实验室仪器设备更新项目
dahua1981
预算2.72亿元！山东大学近期大批仪器采购意向
dahua1981
近期会议
更多
热门评论
最新资讯
新闻专题
更多推荐
写评论…
0