AES/XPS/SIMS/GD-OES(MS)深度剖析定量分析

溅射深度剖析作为表面分析的常规技术，被广泛应用于膜层结构元素成分随深度变化的表征，但由于溅射、样品粗糙度以及测量信号来源于距样品表面不同的深度等因素的影响，使得测量的深度谱与原始的膜层结构比较可能会有较大的畸变。对测量深度谱数据进行定量分析，不仅可以确定样品的膜层结构，还可以获得其界面粗糙度、元素间的互扩散系数、元素的溅射速率、以及溅射深度分辨率等定量信息。报告讨论了多晶样品深度剖析中溅射诱导粗糙度产生的原因及消除的方法。并以4Si(15nm)/Al(15nm) AES、XPS和ToF-SIMS，以及60Si(3.7nm)/B4C(0.3nm)/Mo(3.0nm) 脉冲-射频-GDOES等深度谱为例，讨论了溅射诱导粗糙度对测量深度谱的影响及其相应的定量分析。同时还提出了将TV正则化与MRI深度分辨率函数结合，对深度谱数据进行反卷积定量分析的新方法，并应用于8Ni(25nm)/Cr(25nm) AES、60Si(3.5nm)/Mo(3.5nm) 脉冲-射频-GDOE和ToF-SIMS深度谱的定量分析，获得的膜层结构与HR-TEM的测量结果相吻合。

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王江涌，博士，教授，1984年武汉大学理论物理专业学士；1989年四川大学原子与分子物理专业硕士；1997年南非自由州大学表面物理专业博士；1998-2001年美国堪萨斯州立大学物理系研究助理；2001-2009年德国马普金属研究所高级研究员；2009年起任汕头大学物理系教授。从事表面分析工作近三十年，在薄膜相变及深度剖析定量分析领域做出了诸多创新性工作。发表英文专著2部，论文150余篇（SCI 110余篇）。现任广东省分析测试协会表面分析专业委员会副主任委员、中国机械工程学会表面工程分会常务委员；《功能材料》、《材料科学研究与应用》与《表面技术》等期刊编委、评委。