新布线技术助推2nm及以下制程节点

大半导体产业网消息，应用材料公司宣布推出全新布线技术，旨在通过使铜布线微缩到2nm及以下的逻辑节点，来提高计算机系统的每瓦性能。

应用材料公司半导体产品事业群总裁帕布‧若杰（Prabu Raja）博士表示：“AI 时代需要更节能的运算，其中芯片布线和堆叠对于效能和能耗至关重要。应材最新的整合性材料解决方案使业界能将低电阻铜布线微缩到新兴的埃米节点，同时我们最先进的低介电常数材料降低了电容效应并强化芯片结构强度，将3D 堆叠提升到全新高度。”

近年来，应用材料公司的 Black Diamond™ 材料一直处于行业领先地位，其铜线周围采用低介电常数（或“k 值”）薄膜，旨在减少电荷的积聚，从而增加功耗并导致电信号之间的干扰。现在，应用材料公司推出了这一材料的增强版，这是该公司 Producer™ Black Diamond™ PECVD 系列的最新产品。这种新材料降低了最小k值，以实现2nm及以下的微缩，同时提供更高的机械强度。随着芯片制造商和系统公司将3D逻辑和内存堆叠提升到新的高度，这将变得至关重要。

此外，应用材料公司还推出了其最新的IMS™（集成材料解决方案），在一个高真空系统中结合了六种不同的技术，包括业界首创的材料组合，让芯片制造商将铜布线微缩到2nm及以下节点。该解决方案是钌和钴 （RuCo） 的二元金属组合，可同时将衬垫厚度减少33%至2nm，为无空隙铜回流焊产生更好的表面性能，并将线路电阻降低多达25%，以提高芯片性能和功耗。