2012年上半年发布仪器新品：XRF

　　新产品和新技术体现了相关行业的技术发展趋势，定期推出一定数量的新产品和新技术是一个仪器企业创新能力的具体表现。仪器信息网“半年新品盘点”旨在将最近半年内推出的新产品和新技术集中展示给广大用户，让大家对于感兴趣的领域有总体性了解，更多创新产品和更详细内容见新品栏目。

　　X射线荧光(以下简称XRF)光谱法基本原理是当原子受到X射线光子(原级X射线)或其他微观粒子的激发使原子内层电子电离而出现空位，原子内层电子重新配位，较外层的电子跃迁到内层电子空位，并同时放射出次级X射线光子，此即X射线荧光。较外层电子跃迁到内层电子空位所释放的能量等于两电子能级的能量差，因此，X射线荧光的波长对不同元素是特征的，根据元素X射线荧光特征波长对元素做定性分析，根据元素释放出来的荧光强度，来进行定量分析如厚度或含量分析。

　　XRF具有分析速度快、样品前处理简单、可分析元素范围广、谱线简单，光谱干扰少等优点;其不足之处是只能进行元素分析，不能作价态和化合物分析，分析结果会受到基体的干扰。

　　XRF主要由光源、色散元件、探测器、数据处理等部分组成。目前，XRF的主要类型有波长色散型XRF和能量色散型XRF。

　　XRF激发样品的光源主要包括具有各种功率的X射线管、放射性核素源、质子和同步辐射光源。波长色散X射线荧光光谱仪所用的激发源是不同功率的X射线管，功率可达4~4.5kW，类型有侧窗、端窗、透射靶和复合靶。能量色散X射线荧光光谱仪用的激发源有小功率的X射线管，功率从4~1600W，靶型有侧窗和端窗。靶材主要有Rh、Cr、W、Au、Mo、Cu、Ag等，并广泛使用二次靶。现场和便携式谱仪则主要用放射性核素源。

　　依分辨率从低至高XRF常用的探测器有NaI晶体闪烁计数器，充气(He, Ne, Ar, Kr, Xe等)正比计数管器、HgI₂晶体探测器、半导体致冷Si PIN 探测器、高纯硅晶体探测器、高纯锗晶体探测器、电致冷或液氮致冷Si(Li)锂漂移硅晶体探测器、Ge(Li)锂漂移锗探测器等。目前常用的是电致冷或液氮致冷Si(Li)锂漂移硅晶体探测器、Si PIN 探测器、高纯硅晶体探测器。探测器的性能主要体现在对荧光探测的检出限、分辨率、探测能量范围的大小等方面。

　　2012年上半年,有3家厂商推出了X射线荧光光谱仪新产品。

日本精工SEA1000AII能量色散型X射线荧光分析仪

　　上市时间：2012年1月

　　SEA1000AII能量色散型X射线荧光分析仪采用新式小型空冷式X光管，可做低电压(15 kV)、中电压(31 kV)、高电压(50kV)二段自动控制，电流可以从0~1000μA,样品需求作最佳化的自动输出强度调整，全自动省却人为调整所会造成的不准确度。

　　采用硅半导体探测器,25mm2大探测面积，灵敏度及准确度是一般探测器的五倍。无需液态氮的成本，更加方便。配备有CCD监视器，监测样品分析位置，可将样品做局部放大，作准确定位及分析，同时能储存分析点之影像，連同测试报告一起输出，方便测试资料结果之管理。

　　该款产品针对RoHS和WEEE指令开发设计，对铅、镉等有害金属可进行ppm级的分析。

牛津仪器X-Strata920 X射线荧光 (XRF) 镀层测厚分析仪

　　上市时间：2012年2月

　　2012年2月,牛津仪器推出了X-Strata920 X射线荧光 (XRF) 镀层测厚分析仪。它结合了大面积正比计数探测器和牛津仪器微聚焦X射线光管，使X射线光束强度大、斑点小，样品激发更佳，确保同级别中精确性最好，分析结果只需要几秒钟，从而获得更有效的过程控制和性价比。

　　X-Strata920 在工业领域如电子行业、五金电镀行业、金属合金行业及贵金属分析行业表现出卓越的分析能力，可进行多镀层厚度的测量。

上海爱斯特DM8000型X荧光光谱仪

　　上市时间：2012年6月

　　DM8000型X荧光光谱仪采用波长色散X射线荧光分析技术(WDXRF)，多道同时测量从Na到U的任意十种元素，对大多数元素分析的含量可低至ppm高至100%。DM8000型X荧光光谱仪X射线管采用Varian公司生产的400W薄铍端窗X射线管，Na、Mg等轻元素道探测器窗采用Moxtek公司生产的0.6μm超薄聚酯窗，恒温室温度控制精度小于0.1℃，流气系统采用高精度流气密度稳定装置，压力稳定度小于3Pa，由此使光谱仪具有极高的精度和准确度，达到国际先进水平。DM8000型X荧光光谱仪屏蔽防护的良好设计保证无任何射线泄漏，满足辐射豁免要求。

　　DM8000型X荧光光谱仪是为水泥行业专门开发的，其性能对水泥行业来说比进口同类产品更好，而价格仅为进口同类产品的几分之一，具有无可比拟的价格性能比。

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