仪器对比
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仪器简介：
技术参数：
主要特点：
此系统可独立进行PL光谱测量，也可以拓展成PL-Raman光谱仪组合,多功能的系统,极高的性能价格比,是光谱研究的有力工具.
应用领域：
常规的光致发光测量；
III-V族化合物半导体材料光致发光测量；
荧光性；
LD, LED外延晶片PL扫描测量；
技术参数：
附加激发源
Ar-Ion 激光器(488 and 514nm) 50-100mW
DPSS 激光器(532nm) 100-300mW
He-Ne 激光器(632.8nm) 20mW
NIR 激光器(785nm) 100mW
其它探测器
线阵CCD 探测器 (2048象素) 400-900nm
InGaAs 阵列探测器(NIR512象素) 900-1700nm
高性能低噪声制冷CCD 探测器(-75C)
(1024 x 128 或 1024 x 256 象素)
PMT 探测器组 (190-900nm)
系统空间分辨率（TEMoo模式）
50um(一般应用)
10um(10x M-plan 透镜)
1um 光束尺寸，在微PL或拉曼系统上的100x M-plan 镜头
用于低温PL的低温制冷系统
主要特点：
高性能、低成本光致发光测量系统
宽光谱范围（UV-VIS-NIR）
简单的设计和校准
低噪声和高PL信号探测灵敏度
多激发光源可选
容易找到峰值和FWHM参数
用于聚焦和准直的熔石英透镜组
用于激光线屏蔽的截至滤波片组
1微米精度的电动XY调节台组
2”和4”晶片架
小型凹面全息光谱仪
1024象素低噪声阵列探测器
25mm x 2500mm象素尺寸，16比特，USB接口
包括系统控制器，控制和绘图
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