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Intense专利的QWI技术可以增大半导体激光器的量子阱能带隙，可在同一腔内产生有源区和无源区，并在腔面形成一种无源吸收反射镜（NAMs），可有效地避免其他半导体激光器件常见的光学灾变（COMD），性能更可靠稳定。产品包括：高功率可见光和近红外半导体激光器器件和阵列，可独立寻址的半导体激光器阵列。
主要特点
·Series1200:635nm，功率0.25W-0.7W
·Series1300:670nm，功率0.5W-1W
·极端高亮度、优秀可靠性
·高量子效率、低热量阻抗、可轻易集成
·应用包括光动力疗法、医疗成像和诊断、照明、光学泵浦和过程控制
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