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德国 ISIS 芯片厚度/表面形貌量测
ISIS Sentronics，非接触式芯片/MEMS厚度以及表面形貌量测领域的领导厂商。ISIS半自动、全自动系统通过特有的双探头设计实现芯片/MEMS的非接触、高精度多层结构厚度量测。
ISIS桌面型系统、半自动系统以及全自动量测系统，能灵活满足用户的使用以及预算要求。
芯片/MEMS厚度量测：
- 最小层厚度: 10um/2.5um (Silicon)
- 光斑: 20um, 5um(最小)
- 最大采样频率: 4Khz/16Khz ( 不是所有型号 )
- 精度: 0.2um
- 可重复性: 0.1um ( 3 Sigma )
- 波长: 1300nm/830nm
芯片/MEMS表面形貌量测：
- 最大Z方向高度: 60um(high res)/120um(low res)
- 测量区域: (0.35 mm)2 (model a3) / (0.8 mm)2 (model a5)
- 像素尺寸: 0.3 μm (model a3) / 0.75 μm (model a5)
- 采样时间: 2--3 sec.
- Z方向可重复性: < 0.5 nm (high res.)
- 波长: --~ 500 nm
ISIS Sentronics，非接触式芯片/MEMS厚度以及表面形貌量测领域的领导厂商。ISIS半自动、全自动系统通过特有的双探头设计实现芯片/MEMS的非接触、高精度多层结构厚度量测。
ISIS桌面型系统、半自动系统以及全自动量测系统，能灵活满足用户的使用以及预算要求。
芯片/MEMS厚度量测：
- 最小层厚度: 10um/2.5um (Silicon)
- 光斑: 20um, 5um(最小)
- 最大采样频率: 4Khz/16Khz ( 不是所有型号 )
- 精度: 0.2um
- 可重复性: 0.1um ( 3 Sigma )
- 波长: 1300nm/830nm
芯片/MEMS表面形貌量测：
- 最大Z方向高度: 60um(high res)/120um(low res)
- 测量区域: (0.35 mm)2 (model a3) / (0.8 mm)2 (model a5)
- 像素尺寸: 0.3 μm (model a3) / 0.75 μm (model a5)
- 采样时间: 2--3 sec.
- Z方向可重复性: < 0.5 nm (high res.)
- 波长: --~ 500 nm
芯片厚度/表面形貌量测信息由香港电子器材有限公司为您提供，如您想了解更多关于芯片厚度/表面形貌量测报价、型号、参数等信息，香港电子客服电话：400-860-5168转2459，欢迎来电或留言咨询。
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