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高纯锗(HPGe)γ能谱仪

报价 ¥200万

品牌

泰坤工业

型号

TK-GEM,GMX,GEM ,GWL,SGD

产地

中国大陆北京

应用领域

暂无

高纯锗γ伽马能谱仪


第一部分:高纯锗探测器

       高纯锗探测器-无LOGO.png

 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率,是核测量最精密和最先进的工具,在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。

  完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定, 其关键 性能指标优异、稳定性良好。

  高纯锗探测器的工作机理:高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm量级,是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+P+极,种电反向,由于高 纯锗晶体极的杂质浓度其内部将工在全耗尽状,此时伽马线在其内部积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集,形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。

 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体,在 其外表面为 N+电极,在其内部电极孔内部为 P+电极, 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视®系列高性能 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5m厚,P+电极约为 0.5μm 厚。

 探测器的前放大器可根用户需求选阻容反馈或冲反馈前放性能优异,期稳 定性好,除适配威视®系列数字谱仪外,还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视®系列高性能 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指,并可根据用户需要配置“L 、 “U 、水平冷指等定制化设计,同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率,探测器舱室应保持严密的真空条件。

型探测的总体特

能量响应范围:30keV  10MeV;相对探测效率 10%  80%


     可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求;

 

全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标;

 

可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。

 

 

TKGEP-S 系列探测器号与性能指标:

型号

晶体尺寸(mm)

能量分辨率-FWHM(keV)

峰形()

峰康比

(≥)

效率

(≥)

直径

厚度

@59.5keV

@122keV

@1.33MeV

FW.1M/FWHM

FW.02M/FWHM

TKGEP-S12

50

30

0.70

0.80

1.8

1.9

2.7

32

12%

TKGEP-S30

70

30

0.70

0.85

1.8

1.9

2.7

45

30%

TKGEP-S40

70

40

0.75

0.90

1.85

2.0

2.8

48

40%

TKGEP-S50

85

30

0.85

0.95

1.85

2.0

3.0

53

50%

TKGEP-S60

90

30

0.90

1.0

1.90

2.0

3.0

58

60%

TKGEP-S70

85

50

0.95

1.1

1.95

2.0

3.0

62

70%


第二部分:谱仪(多道分析仪)

  配套高纯锗测器的一款新型字化谱仪。其设计功能完稳定业已经际使用验对高率探器或高 计数率件下对信号处理软件谱仪数字极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设

谱仪图片-无LOGO.png

 

谱仪体功能与特性:


全数字化控制,保证人机交互灵活

探测器回温情况下高压自动切断功能(shutdown

多种滤波模式,可根据特定环境配置滤波参数,具备低频噪声抑制功能

具备门控数字化基线恢复,自动极零,零死时间校正,弹道亏损校正等完 整先进功能

最大数据通过率大于 100kcps,对高计数率样品能获得准确的测量结果

支持 USB3.0 接口


谱仪征功能:

 

   基础参数显示:系统的电源开启状态,高压开启状态,高压目标值,高压升降过程 动态显示。

全数字化自动高压加载:用户根据探测器参数选定高压后,系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载,直到满足探测器要求。

异常处理功能:当系统意外掉电,设备自动启动 UPS 功能,并按异常处理逻辑,进 行高压缓降,以保护探测器安全。

抑制电荷收集时间效应功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。

  

     具体数指标:

 

系统非线性:积分非线性:   0.01%;微分非线性:≤±0.28

最大通过率:成形时间设置为上升时间 500ns,平顶时间 500ns时,系统等效的死时间约为 2.79μs,此时,最大脉冲通过率将达到 130Kcps

粗调增益::由计算机选定为  1,2,4,8

细调增益:由计算机设定为 0.45  1.00

尺寸与重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG

工作条件:0C  50C(包括 LCD 显示)。操作系统:Windows 7/ Windows10

显示/接口:320240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V

市电接入端子,USB3.0接口。高压输出接口,探测器电源接口,探测器信号输入端子。


第三部分:液氮回凝

       液氮回凝制冷-无LOGO.jpg

 采用低振动长寿命脉冲管制冷机,运行寿命长于 10 年;

    25L 液氮容器,不断电条件下可连续工作两年以上;

 对探测器分辨率无影响;

 可匹配垂直、水平与弯头型冷指;

 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息;

 可选购基于无线技术的遥控器,远程控制制冷系统或显示运行状态;

 配有自动式液氮填充接口,可自动加注液氮;

 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警;

 外形尺寸:64.5cm  x 45.6cm 直径(不含探测器);

 功耗:运行时小于 150W,启动时最大 250W

 工作环境:0 - 35℃,相对湿度 20% 80%(无冷凝);

 噪声:1m 处小于 60 分贝。


第四部分:伽马谱软件包

     研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪,除了高纯锗探测器这一核心部件之外,还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。

  历经十年的反复磋磨与雕琢,目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。

      它是只需实现能:

       

     系统控制数字显示实 时间/


     系统初始示用/效 率刻

     能谱具有多路谱图

     谱分寻峰方法完善的各种校正的不

       分析每一以保 证随


    

它具功用

 

       设计作员operator家(expert)两使系统 与数


      独特能。置的较高时, 从源


      对具备”条的样,可化的分析”。

 

 

       刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可载入存储的数据文件。效率曲线可

    载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件,并支持三种拟合方法:单一函数多 项式拟合、插值法、带拐点Knee)的多项式拟合。

     寻峰:支持 Mariscotti 法寻峰,可自动或手动完成寻峰。

     本底确定方法:自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。

     分析用核素库: 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询,和对母子核的编辑。

 核素识别的方法: 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法,具体执行程序如下: 使用广义二阶差分方法初步寻峰,根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底,扣除本底后,在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。

 

分析后的首选核素将会直接标注在谱上,方便查看。 谱分析中的校正:母子核衰变校正;样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算:Currie 算法,后续可扩展 ORTEC MDA  18 种算法。

分析结果报告:报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内

容,支持 pdfrptdoc 三种格式。

 

界面:默认 office 风格,可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容,并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。

适应的操作系统:Windows7/810 32/64 位操作系统。


第五部分:实验室无源效率刻度软件

       

蒙特卡罗程序包:基于 Geant软件程序包,能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型:支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。

 

能量范围:10keV-7000keV   刻度角度:支持任意角度刻度。

探测效率:支持真实物理级别的级联符合校正,通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库:内置 种常见的容器库,支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。

 

材料库工具:内置 40 余种常见材料,允许用户自定义材料。

 

3D 视觉及几何校验提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析提供输入参数敏感性分析工具方便用户定位影响效率刻度的参数项。

 

自表征校正工具:允许用户自主完成探测器表征,无需返厂,确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式:允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。

 

刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统:Windows7/8/10 64 位操作系统。


第六部分:铅室


1.标准铅室

低本底铅室--无LOGO.png

  TKLBS-G是一款顶开门压杆式低本底铅室高纯锗γ能谱仪系统屏蔽环 境本底对探测过程的干扰,提高测量的准确性。

参数:

 

外层材料:1cm    低碳钢;

中层材料:10c 低本底铅 4π  方向屏蔽;

内层材料:3 mm  无氧铜;

结构:压杆式顶部平移开门设计;

 

承重桌材料:低碳钢;占地面积:65cm x 65cm

内腔尺寸:Φ310mm x 409mm

重量:大于 1. 吨;

 

 

铅室说明:分三个型号,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写,G1代表Grad1等级1,使用铅材料厚度为10cm,本底保 证<3.0cps,常规值<2.8cpsG2代表Grad1等级2,使用铅材料厚度为15cm,本 底保证<2.0cps,常规值<1.6cpsU代表Ultra超级,使用铅材料厚度为15cm, 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气,使之降低空气中氡的影响,本底保证<1.0cps。按照约定俗称,以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。


2.超低本底铅室 

铅室图片-无LOGO.png

TKULBS-是一款顶门压杆超低本铅室,于高γ能谱系统,蔽环境底 对探测过的干扰提高测的准确

本底指标:

本底指标正常放性环下 50keV 至 3Me围内保证值小于 1.2cps40%效率, 典型值约 1cp左右。

具体参数:

 高度 682.1 m(26.9 in.)

   直径 558.8 m(22.0 in.)

 内腔 直径 228.6 m(9 in.)

   深度:355.6 m(14 in.)

最外层:9.5 m(3/8 in. 厚的低碳钢;

 屏蔽层152 m(6 in.)厚的低底铅;

 内衬:1 m锡与 1.5m无氧铜

 重量1625 Kg

 喷漆 色环氧漆

 桌子高度:68.5-765 .5c 高度可调

可选超低本底衬:2.5c的 25Bq/kg 超低本铅。




售后服务

2年

免费培训一次,限定5人内

6个月一次

2年免费维修,终生维护

24小时赶到现场

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