仪器对比
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仪器简介：
全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等
技术参数：
1.蒸镀源Cell&电源：
?有机金属沉积蒸镀Cell
--最大温度: 500℃
--坩埚容积和材料: 2~200 cc and Quartz, Graphite,etc
--包含Shutter and Cooling shroud (选件)
--电源:15A, 20V
--温度控制: PID control
?金属沉积蒸镀Cell
--最大温度: 1,400℃(up to 1,800 ℃)
--坩埚容积和材料: 2~120 cc and Al2O3, BN, PBN, etc
?包括shutter和Cooling shroud
?电源: 30A, 80V
?温度控制：ntrol : PID control
2.薄膜沉积控制：
?Cygnus and PC控制
--控制沉积参数
----多达6源同时沉积
--石英晶体振荡器
----一个, 两个或六个
?膜厚测量
--石英晶体振荡器
----一个, 两个或六个
3.真空室：
?圆柱形腔体
--直径: φ300 ~ 1,000 mm (Substrate : 1 inch to 370 ×400 mm)
-- 高度: 300 ~ 700 mm
?方形腔体
--根据客户需求定制
4.真空泵和测量装置：
?低真空: 干泵和convectron真空规
?高真空: 涡轮分子泵，低温泵和离子规
?超高真空: 离子泵和离子规
5.控制系统：PLC, PC with Touch Screen
主要特点：
扩展功能：
?温度控制器：基底加热
?He cooling 装置：基底冷却
?LN2or CW 冷却系统
?传递单元：样品传递在有机和金属处理时
?带自动样品递送装置的Loadlock样品加载系统
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