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GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
应用领域
?太赫兹时域系统
?太赫兹源晶体
?中远红外气体探测
?CO2激光的SHG
?THZ实验光源
?太赫兹成像
产品特点
? 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域
? 抗损伤阈值高
? 非线性系数大
? CO2激光的SHG
? 多种尺寸可选
? 客户导向的解决方案
? 接受客户定制服务
GaSe（硒化镓）太赫兹晶体信息由筱晓（上海）光子技术有限公司为您提供，如您想了解更多关于GaSe（硒化镓）太赫兹晶体报价、型号、参数等信息，筱晓光子客服电话：400-860-5168转3429，欢迎来电或留言咨询。
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