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SI APD雪崩光电探测器
AD100-8 TO
圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求，两种TO52类型可供选择。
产品特征：
APD具有0.008mm2的有效面积
100μm直径有效面积
低偏置电压时的高增益
快速上升时间，低电容
最佳增益：50-60
产品应用：
激光测距仪
高速光度测定
高速光通信
用器材
绝对最大额定值：
符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
TSTG | Storage temp | -55 | 125 | ℃ |
TOP | Operating temp | -40 | 100 | ℃ |
Mmax | Gain （IPO=1 nA） | -200 | ||
IPEAK | Peak DC current | 0.25 | mA |
光电参数@23℃：
符号 | 特性 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
有效区域 | 直径 100 | um | ||||
有效区域 | 0.00785 | mm2 | ||||
ID | 暗电流 | M=100 | 0.05 | 0.1 | nA | |
C | 电容 | M=100 | 0.5 | pF | ||
响应 | M=100；λ=800nm | 45 | 50 | A/W | ||
tR | 上升时间 | M=100；λ=905nm；RL=50? | 0.18 | ns | ||
截止频率 | -3dB | 2 | GHz | |||
VBR | 击穿电压 | IR=2uA | 80 | 160 | v | |
温度系数 | VBR随时间变化 | 0.35 | 0.45 | 0.55 | V/K | |
过大噪声因素 | M=100 | 2.2 | ||||
过大噪声指数 | M=100 | 0.2 | ||||
光谱响应图（M=100）：
量子效应（23℃） 电容为反偏压（23°C）
乘积作为偏压（23°C，60℃） 暗电流为偏压（23℃，60℃）
应用提示：
?电流应受到电源内部的保护电阻或电流限制 - IC限制
?对于低光照应用，应使用环境光的遮挡
?对于高增益应用，偏置电压应进行温度补偿
?处理时请考虑基本的ESD保护
?使用低噪声读出 - IC
?有关更多问题，请参阅文档“处理和处理说明”
?最佳增益：50-60
封装图：
包装尺寸：
少量：泡沫垫，盒装（12厘米x 16.5厘米）
1年
是
有
我司实验室可进行培训
1年内
免费更换零件 调试等
约定时间内进行维修调试
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