InGaAs盖革模式雪崩光电二极管0.9-1.7um（ 非制冷型以及内置TEC制冷型）
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InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
InGaAs盖革模式雪崩光电二极管（内置TEC制冷型） 0.9-1.7um ,InGaAs盖革模式雪崩光电二极管（内置TEC制冷型） 0.9-1.7um● 光谱响应范围0.9~1.7μm
● 高探测效率、低暗计数率
● 6 pin TO8
● 弱光探测
● 量子保密通信
● 生物医疗
线性模式参数
产品型号 | IGA-APD-GM104-TEC | |||||
参数 | 符号 | 单位 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 |
反向击穿电压 | VBR | V | 22℃±3℃ ，ID =10μA | 60 | 80 | 90 |
响应度 | Re | A/W | 22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1 | 0.8 | 0.85 | |
暗电流 | ID | nA | 22℃±3℃，M =10 | 0.1 | 0.3 | |
电容 | C | pF | 22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz | 0.25 | ||
击穿电压温度系数 | η | V/K | -40℃ ~80℃，ID =10μA | 0.15 | ||
盖革模式参数
参数 | 单位 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 |
单光子探测效率 PDE | % | -45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布单光子源 | 20 | ||
暗计数率 DCR |
kHz | -45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% |
20* | ||
后脉冲概率 APP | -45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% | 1× 10-3 | |||
时间抖动Tj | ps | -45℃，1ns 门宽，2MHz门控重频，PDE=20% | 100 |
* 可提供不同等级规格产品
室温IV曲线
DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)
温度系数
电容电压
封装外形、尺寸及引脚定义 TO8 （尾纤封装）
二,铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm
InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm,铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm● 光谱响应范围0.9~1.7μm
● 高探测效率、低暗计数率
● 3 pin TO46
● 弱光探测
● 量子保密通信
● 生物医疗
线性模式参数
产品型号 | IGA-APD-GM104-R | |||||
参数 | 符号 | 单位 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 |
反向击穿电压 | VBR | V | 22℃±3℃ ，ID =10μA | 60 | 80 | 90 |
响应度 | Re | A/W | 22℃±3℃ ,λ =1550nm ，M =1 | 0.8 | 0.85 | |
暗电流 | ID | nA | 22℃±3℃ ，M =10 | 0.1 | 0.3 | |
电容 | C | pF | 22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz | 0.25 | ||
击穿电压温度 系数 | η | V/K | -40℃ ~80℃，ID =10μA | 0.15 | ||
盖革模式参数
参数 | 单位 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 |
单光子探测效 率PDE | % | -45℃ ，λ =1550nm， 0.1ph/pulse 泊松分布单光子源 | 20 | ||
暗计数率DCR | kHz | -45℃ ，1ns门宽， 2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% |
20* | ||
后脉冲概率 APP | -45℃ ，1ns门宽， 2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% |
1× 10-3 | |||
时间抖动Tj | ps | -45℃ ，1ns 门 宽 ，2MHz门控重频，PDE=20% | 100 | ||
* 可提供不同等级规格产品
TO46 （尾纤封装）
1年
是
有
我司实验室可进行培训
1年内
免费更换零件 调试等
约定时间内进行维修调试
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