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半导体温度实时测量系统

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品牌

暂无

型号

BandiT

产地

美洲美国

应用领域

暂无
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仪器介绍:

    世界顶级半导体生长温度原位监测系统,可装载于MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统和热处理、退火等设备,拥有丰富的材料数据库,有效集成Band-Edge Thermometry(BE)半导体材料带边吸收技术、Blackbody Emission Fitting(BB)黑体辐射光谱曲线拟合技术、Broad Band Pyrometry(Emissivity-Corrected Pyrometry)可加装红外辐射系数修正功能的宽带高温计等多项k-Space*技术,帮助您准确监测半导体材料生长过程中的温度变化!



技术参数:

1. 光栅波长范围:300nm-600nm,870nm-1670nm,波长分辨率0.1nm;

2. 温度测试范围:

    2.1 Band-Edge Thermometry(BE)半导体材料带边吸收技术;

         Si:RT-650°C;GaAs, InP:RT-900°C;GaN, SiC,ZnO1300°C;

    2.2 Blackbody Emission Fitting(BB)黑体辐射光谱曲线拟合技术;

        300°C-更高,可能过升级制冷型红外光栅将最低测试温度降低到200°C;

    2.3 关于BandiT在蓝宝石(sapphire)衬底方面应用的的技术细节及相关参数,详见参考文献;

3. 温度测试精度:+/-2°C;

4. 温度测试可重复性:+/-0.5°C;       

5. 温度测试分辨率: +/-0.5°C;

6. 温度测试更新速率:30points/sec;

7. 薄膜厚度测试精度:优于1%或1nm;

8. 薄膜表面均匀度测试精度:0.1%表面形貌变化;

 9. 便捷的安装方式:单窗口,双窗口安装模式;自由选择安装角度;测试用光源背入射/正面入射模式可选;

 10. 基于BandiT温度监测系统庞大的材料数据库,针对不同薄膜的种类、厚度、掺杂浓度,自动修正温度测试结果。用户可自由添加薄膜/衬底修正所需数据;




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