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仪器介绍：
世界顶级半导体生长温度原位监测系统，可装载于MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统和热处理、退火等设备，拥有丰富的材料数据库，有效集成Band-Edge Thermometry（BE）半导体材料带边吸收技术、Blackbody Emission Fitting（BB）黑体辐射光谱曲线拟合技术、Broad Band Pyrometry（Emissivity-Corrected Pyrometry）可加装红外辐射系数修正功能的宽带高温计等多项k-Space*技术，帮助您准确监测半导体材料生长过程中的温度变化！
技术参数：
1. 光栅波长范围：300nm-600nm，870nm-1670nm，波长分辨率0.1nm；
2. 温度测试范围：
2.1 Band-Edge Thermometry（BE）半导体材料带边吸收技术；
Si：RT-650°C；GaAs, InP：RT-900°C；GaN, SiC，ZnO1300°C；
2.2 Blackbody Emission Fitting（BB）黑体辐射光谱曲线拟合技术；
300°C-更高，可能过升级制冷型红外光栅将最低测试温度降低到200°C；
2.3 关于BandiT在蓝宝石（sapphire）衬底方面应用的的技术细节及相关参数，详见参考文献；
3. 温度测试精度：+/-2°C；
4. 温度测试可重复性：+/-0.5°C；
5. 温度测试分辨率： +/-0.5°C；
6. 温度测试更新速率：30points/sec;
7. 薄膜厚度测试精度：优于1%或1nm；
8. 薄膜表面均匀度测试精度：0.1%表面形貌变化；
9. 便捷的安装方式：单窗口，双窗口安装模式；自由选择安装角度；测试用光源背入射/正面入射模式可选；
10. 基于BandiT温度监测系统庞大的材料数据库，针对不同薄膜的种类、厚度、掺杂浓度，自动修正温度测试结果。用户可自由添加薄膜/衬底修正所需数据；
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