硅 Si PIN光电二极管/大光敏面/法兰式/ 光纤耦合式/超快（TO封装） 400-1100nm
报价 ¥1001 - 2999
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器件为硅PIN 光电二极管，在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。
8mm大光敏面硅（Si）硅光电探测器,8mm大光敏面硅（Si）硅光电探测器特点：
平面正照结构
快速响应
低暗电流
高响应度
高可靠性
应用领域：
光纤通信、传感、测距
可见光至近红外领域的光探测
快速光脉冲检测
各种工业控制系统。
产品参数：
*器件的光敏面尺寸及技术指标可根据用户的使用要求而定;具体参数及器件管壳使用引脚详见产品附带参数表.
产品参数：
参数 | 符 号 | 测试 条件 | 典 型 值 | 单位 | ||||||||||||
光敏面尺寸 | Φ0.2 | Φ0.5 | Φ1 | Φ2 | Φ4 | Φ5 | Φ8 | 0.5X0.5 | 1X1 | 1.3X1.3 | 2X2 | 3X3 | mm | |||
光参数 | 光谱响应 范围 |
λ |
400~1100 |
nm | ||||||||||||
响应度 |
Re | VR=15V λ=900nm |
0.40 |
0.45 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0．55 |
0.45 |
0.45 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
A/W | |
响应时间 |
tr | VR=15V， RL=50Ω |
2 |
5 |
6 |
8 |
15 |
15 |
25 |
3.5 |
5 |
8 |
10 |
15 |
nS | |
电参数 | 暗电流 | ID | VR=15V | 1 | 2 | 3 | 5 | 12 | 40 | 60 | 3 | 3 | 4 | 6 | 10 | nA |
反向击穿 电压 |
VBR |
IR=10μA |
100 |
50 |
80 |
V | ||||||||||
电容 |
Cj | f=1MHz VR=15V |
0.8 |
1.2 |
2.0 |
6 |
20 |
30 |
70 |
6.0 |
3 |
3 |
10 |
25 |
pF | |
工作电压 | VR | 0~15 | V | |||||||||||||
管座型号 | 同轴 II 型、5501、 TO46、插拔式、带尾纤 |
T0-5 |
TO-8 | 同轴 II 型、5501、 TO46、插拔式、T05 |
T0-5 | |||||||||||
饱和光功率0.3w/cm2 | ||||||||||||||||
*器件的光敏面尺寸及技术指标可根据用户的使用要求而定;具体参数及器件管壳使用引脚详见产品附带参数表.
封装尺寸：
：
封装图片 | 尺寸信息 | 订购代码 |
 |
|
C-II |
|
|
TO46 |
| |
5501 |
|
|
TO5A |
|
|
TO5B |
|
|
TO8 |
|
|
FC-SA |
|
|
ADP |
注意事项
该器件在反向偏置电压下工作,注意器件极性不能接反。
光纤弯曲度不能小于 45 度。
器件在贮运、使用中注意静电防护措施。
1年
是
有
我司实验室可进行培训
1年内
免费更换零件 调试等
约定时间内进行维修调试
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