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1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV是专门为在金属箔表面生长薄膜而设计的，特别是应用在新一代能源——柔性金属箔电极方面的研究。
产品型号 | 1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV |
| 安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水） 2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地 3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头） 4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通风装置：需要 |
主要特点 | 1、采用高纯氧化铝保温材料，保证了极好的温度均匀性。 2、内炉膛表面涂有美国进口氧化铝涂层，可以提高反射率和保护炉膛洁净度。 3、采用PID控制器，可以设置30段升降温程序。 4、金属箔缠绕在内管的外表面上发生CVD反应。 5、采用双管真空密封法兰，允许反应气体通过两管之间（10mm间隙）。 6、冷却气体直接通入内管。 7、配有带KF25快接和波纹管的高速机械泵。 8、炉底部装有滑轨，炉体可从一端滑向另一端，从而实现快速升温和降温。为了获得较快的加热速度，可以先将炉体预热，然后滑至放置样品处；为了获得较快的冷却速度，可将炉体滑至另一端，同时将冷气通入样品所在处。 9、密封法兰系统采用不锈钢制作。 10、已通过CE认证。 |
技术参数 | 管式炉 1、电源：单相AC 208V-240V 50Hz/60Hz 2.5KW （20A保险丝） 2、石英管：外管外径?100mm，内径?96mm，长1400mm 内管外径?80mm，内径?75mm，长1400mm 3、加热元件：掺钼铁铬铝合金电阻丝（表面涂有氧化锆） 4、加热区域：440mm 5、恒温区域：120mm（±1℃在400℃-1100℃） 6、工作温度：最高1100℃，连续工作1000℃ 7、最大升降温速率：20℃/min 8、控温精度：±1℃ 9、真空度：10-2torr（机械泵），10-5torr（分子泵） |
质量流量混气系统 1、质子流量计：4路精密质子流量计，数字显示，气体流量自动控制 MFC1范围0-100sccm，MFC2范围0-200sccm，MFC3范围0-200sccm，MFC4范围0-500sccm 2、流量精度：0.2% 3、气路：4路（每个气路都有一个独立的不锈钢针阀控制） 4、进出气口：1/4"卡套 5、混气罐：1个 | |
产品规格 | 尺寸：管式炉550mm×380mm×520mm，移动架600mm×600mm×597mm 重量：135kg |
可选配件 | 1、分子泵 2、双温区管式炉 3、铜箔（生长石墨烯150mm×150mm×25μm） |
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