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产品简介
非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。
该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。
产品详情
注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同
硅探测器：0.4-1.7um
铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um
碲镉汞探测器：4-12um
铟砷锑探测器：4-12um
型号规格
例如：
HPPD-A-D-S-02-10-10K
该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器
注意事项：
l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。
l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。
产品尺寸（单位：mm）
1年
是
有
1次专业技术培训
无需保养
1年内免费维修
24小时响应
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